GB/T 11164-1999真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

ICS.23.160J78中華人民共和國國家標準GB/T11164一1999真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件Vacuumcoatingplantgenericspecification1999-04-08發(fā)布1999-09-01實施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T11164-1999本標準是對GB/T11164—1989《真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件》進行修訂而編制的。在內(nèi)容上,對某些技術(shù)指標進行了修政，如：B類鍍膜設(shè)備抽氣時間從原來的1520min改為10min:增加了升壓率指標；并且由于原標準中C類鍍膜設(shè)備國內(nèi)已無生產(chǎn)廠生產(chǎn)，在本次標準修訂中將C類產(chǎn)品取消。本標準自實施之日起代替GB/T11164—1989。本標準由國家機械工業(yè)局提出。本標準由全國真空技術(shù)標準化技術(shù)委員會歸口本標準起草單位：上海曙光機械制造廠、沈陽真空技術(shù)研究所本標準主要起草人：張樹中、李春影、李玉英。

中華人民共和國國家標準11164-GB/T-1999真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件代替GB/T11164—1989Vacuumcoatingplantgeneriespecification1范圍本標準規(guī)定了真空鍍膜設(shè)備技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和存等。本標準適用于壓力在10～10-"Pa范圍的蒸發(fā)類、濺射類、離子鍍類真空鍍膜設(shè)備(以下簡稱設(shè)2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效。所有標準都會被修訂·使用本標準的各方應(yīng)探討使用下列標準最新版本的可能性GB191—1990包裝儲運圖示標志GB/T6070—1995真空法蘭GB/T13384—1992機電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件JB/T7673—1995真空設(shè)備型號編制方法3定義本標準采用下列定義、3.1極限壓力真空系統(tǒng)正常工作時，空載干燥的鍍膜室逐漸穩(wěn)定的最低壓力。單位：Pa3.2抽氣時間真空系統(tǒng)正常工作時,將空載干燥的鍍膜室從大氣壓(10Pa)抽到規(guī)定的壓力所需要的時間。單位：min.3.3升壓率將空載干燥的鍍膜室連續(xù)抽氣至穩(wěn)定的最低壓力后，截止抽氣，在鍍膜室內(nèi)由于漏氣或內(nèi)部放氣所造成的單位時間的升壓。單位：Pa/h.4技術(shù)要求4.1設(shè)備正常工作條件4.1.1環(huán)境溫度：10～30C。4.1.2相對濕度：不大于75%、4.1.3冷卻水進水溫度：不高于25C4.1.4冷卻水質(zhì)：城市自來水或質(zhì)量相當?shù)乃?.1.5供電電源：380V、三相、50Hz或220V、單相、50Hz(由所用電器需要而定)電壓波動范圍342～399V