GB/T 5201-1994帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法

9DG539.1.074：001.4F80中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5201-94帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法Testproceduresforsemicorductorchargedparticledetectors1994-12-22發(fā)布1995-10-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5201-94帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法代替GB5201-85Testproceduresforsemiconductorchargedparticledetectors主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器電特性和核輻射性能的測(cè)試方法以及某些特殊環(huán)境的試驗(yàn)方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于探測(cè)帶電粒子的部分耗盡金硅面全型、鋰漂移金硅面壘型和表面鈍化離子注入平面硅型等半導(dǎo)體探測(cè)器。全全耗盡金硅面全型探測(cè)器的某些性能測(cè)試也應(yīng)參照本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。2術(shù)語、竹號(hào)2.1術(shù)語2.1.1靈敏層sensitivelayer半導(dǎo)體探測(cè)器中對(duì)輻射靈敏的那一層物質(zhì)。粒子在其中損失的能量可轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。2.1.2靈敏面sensitivearea深測(cè)器中輻射最易進(jìn)入靈敏層的那部分表面。2.1.3死層deadlayer從探測(cè)器靈敏層入射的帶電粒子在進(jìn)入靈敏層前必須經(jīng)過的一層物質(zhì)。在這層物質(zhì)中，粒子損失的能量不轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。2.1.4偏壓biasvoltage探測(cè)器工作時(shí)所加電壓。它在靈敏層中產(chǎn)生一個(gè)使信號(hào)電荷迅速向電極移動(dòng)的強(qiáng)電場(chǎng)。2.1.5探測(cè)器電容capacitanceofdetector在給定偏壓下，探測(cè)器兩極間的總電容。2.1.6能量分辨率energyresolution深探測(cè)器分辨入射粒子能量的能力。通常以規(guī)定能量射線譜線的半高寬表示。2.1.7半高寬（FwHM)fullwidthathalfmaximum在在譜線中僅由單峰構(gòu)成的分布曲線上，峰值一半處兩點(diǎn)間橫坐標(biāo)之差.2.1.8申上升時(shí)間electricalrisetime探測(cè)器電參數(shù)引起的輸出信號(hào)從終值的10%到90%所需的時(shí)間。2.1.9電荷收集時(shí)間chargecollectiontime電離粒子穿過半導(dǎo)體探測(cè)器時(shí),由收集電荷形成的積分電流從最終值的10%到90%所需要的時(shí)間2.1.10十分之一高寬(FwTM）fullwidthattenthmaximum譜線中，在單峰分布