標準解讀

《GB/T 5238-1995 鍺單晶》是一項國家標準，規定了鍺單晶的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內容。該標準適用于制造半導體器件和其他用途的鍺單晶材料。

根據標準內容，首先明確了鍺單晶按電阻率不同分為不同類型，并對每種類型的具體電阻率范圍做出了規定。此外，還定義了幾何參數如直徑、長度等的要求，確保產品符合特定尺寸規格。對于晶體缺陷，包括位錯密度在內的多個方面也有詳細說明，旨在控制材料質量以滿足高性能應用的需求。

在試驗方法部分，標準描述了一系列用于檢測鍺單晶特性的測試程序，比如測量電阻率的方法、確定位錯密度的技術等。這些測試不僅幫助制造商評估其產品質量，也為用戶提供了選擇合適材料時可參考的數據。

檢驗規則方面，《GB/T 5238-1995 鍺單晶》指出了如何進行抽樣檢查及合格判定的標準流程，保證出廠前的產品能夠達到規定的性能指標。同時，針對不合格品處理方式也給出了指導建議。

最后，在包裝、標志、運輸和貯存環節，標準強調了正確操作的重要性，以防止鍺單晶受到物理損傷或環境因素影響而導致性能下降。具體措施包括使用適當的包裝材料、清晰標注產品信息以及采取必要的防護手段等。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 5238-2009
  • 1995-10-17 頒布
  • 1996-03-01 實施
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ICS29.040.30H81中華人民共和國國家標準GB/T5238一1995錯單晶Monocrystaliinegermanium1995-10-17發布1996-03-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準GB/T5238—1995代替GB5238-85Monocrystallinegermanium主題內客與適用范圍本標準規定了錯單品的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸和財存：本標準適用于制作半導體器件等用的錯單品。2引用標準GB5251豬單晶電阻率直流四探針測量方法GB5252錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法GB5254錯單晶晶向X光衍射測定方法GB5255錯單晶晶向光反射圖像測定方法GB5256豬單晶導電類型測量方法GB5257錯單晶少數載流子壽命直流光電導衰退測量方法3產品分類3T分類錯單晶按導電類型分為n型和P型。，根據電阻率允許偏差大小單晶分為三級，用英文大寫字母AB、C表示3.2牌號3.2.1錯單晶的牌號表示為：其中：1--表示錯單晶的生產方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法.2--Ge表示錯單晶。-用n或p表示導電類型，括號內的元素符號表示摻雜劑。4--用密勒指數表示品向。3.2.2示例：Cz-Ge-n(Sb)-(111)表示晶向為(111>n型摻梯直拉錯單晶。國家

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