自考專業(計算機應用)試題附答案詳解（模擬題）

自考專業(計算機應用)試題考試時間：90分鐘；命題人：教研組考生注意：1、本卷分第I卷（選擇題）和第Ⅱ卷（非選擇題）兩部分，滿分100分，考試時間90分鐘2、答卷前，考生務必用0.5毫米黑色簽字筆將自己的姓名、班級填寫在試卷規定位置上3、答案必須寫在試卷各個題目指定區域內相應的位置，如需改動，先劃掉原來的答案，然后再寫上新的答案；不準使用涂改液、膠帶紙、修正帶，不按以上要求作答的答案無效。第I卷（選擇題55分）一、單選題（10小題，每小題5分，共計50分）1、（單選題）在PHP語言中，下面屬于整型的是（）

A.0x12*

B.＇12＇

C.12.0

D."12"

正確答案：A

2、（單選題）編號為0~15的l6個處理器，互連函數采用Shuffle(Shuffle)單級互連網絡互連，則與9號處理器連接的處理器號為()。

A.5

B.6

C.7

D.8

正確答案：B

3、（單選題）下述I/O控制方式中，主要由程序實現的是______。

A.PPU(外圍處理機)方式

B.中斷方式

C.DMA方式

D.通道方式

正確答案：B

4、（單選題）英文縮寫DNS的意思是()

A.域名系統

B.Novell目錄服務

C.數據通信設備

D.不連續多基頻模式

正確答案：A

5、（單選題）用于分擔主DNS服務器查詢負載的DNS服務器是（）

A.備份DNS服務器

B.從DNS服務器

C.緩沖DNS服務器

D.主DNS服務器

正確答案：B

6、（單選題）下列不屬于對安全事件處理流程的是()。

A.事故處理的目標和動機，安全事件的處理，安全事件的通告

B.對安全事件的處理，調查與法律，安全事件的評估

C.事故處理的目標和動機，安全事件的評估，對安全事件的響應

D.對安全事件的響應，調查與法律，安全事件的通告

正確答案：C

7、（單選題）計算機實現的設計著眼于的技術是（）

A.器件技術和編譯技術

B.器件技術和微組裝技術

C.微組裝技術和模擬技術

D.器件技術和模擬技術

正確答案：B

8、（單選題）在JSP中，聲明的有效范圍是（）

A.僅在當前的JSP頁面中有效

B.在所有的頁面中有效

C.在文件夾下的頁面中有效

D.在session中有效

正確答案：A

9、（單選題）UML的圖形化工具分為兩類：行為圖和（）

A.結構圖

B.狀態圖

C.部署圖

D.用況圖

正確答案：A

10、（單選題）下列各項中，屬于CAN總線特點的是（）

A.多主方式工作

B.可連接節點數量少

C.采用破壞性總線仲裁技術

D.通信形式單一

正確答案：A

二、多選題（1小題，每小題5分，共計5分）1、（多選題）下面關于安全套接層的說法正確的是()

A.在獲取標識的過程中，服務器將只生成一個公開密鑰

B.為使用SSL，服務器必須擁有一個標識，這個標識實際上就是授予每個同意這種標準的公司和個人的ID

C.在獲取標識的過程中，服務器將生成一個公開和私有密鑰

D.服務器的公開密鑰用于生成一個會話密鑰。與此相類似，客戶機也將生成一個會話密鑰，之后，客戶機軟件將用服務器的公開密鑰對這個會話密鑰進行加密，隨之發送給服務器

E.如果瀏覽器和服務器通過SSL連接在一起，那么中間傳輸的所有數據都會得到加密答案：

正確答案：BCDE

第Ⅱ卷（非選擇題45分）三、填空題（5小題，每小題4分，共計20分）1、（填空題）I/O端口的編址方式有_____和_____兩種方式。

正確答案：獨立編址、統一編址

2、（填空題）已知一棵無向樹T有三個3頂點,一個2度頂點,其余的都是1度頂點,則T中有________個1度頂點。

正確答案：5

3、（填空題）從操作數的物理位置來說，可將指令歸結為三種類型：存儲器-存儲器型，A.______，B.______。

正確答案：寄存器—寄存器型、寄存器—存儲器型

4、（填空題）設類A有成員函數voidf(void);若要定義一個指向類成員函數的指針變量pf來指向f，該指針變量的聲明語句是：_____。

正確答案：void(A::*pf)(void);

5、（填空題）設T為根樹，若________，則稱T為m元樹;若________則稱T為完全m叉樹。

正確答案：每個結點的出度都小于等于m;除葉子外，每個結點的出度都等于m。

四、判斷題（1小題，每小題5分，共計5分）1、（判斷題）MOS器件主要用于制成集成電路。

正確答案：

正確

五、計算題（1小題，每小題10分，共計10分）1、（計算題）在圖所示電路中，已知Rb=260kΩ，Re=RL=5.1kΩ，RS=500kΩ，VEE=12V，β=50，

試求：(1)電路的Q點;(2)電壓增益Av、輸入電阻Ri及輸出電阻Ro;(3)若Vs=200mV，