CN114023733B 一種超導量子芯片的三維封裝結構及封裝方法 （材料科學姑蘇實驗室）

JP2021072351A,202一種超導量子芯片的三維封裝結構及封裝本發明公開了一種超導量子芯片的三維封片的第一面并且通過超導材料與所述控制電路量子芯片的第一面和所述控制電路芯片的第一量子芯片的第一面和所述控制電路芯片的第一面中的任一者與所述第一連接部的一端固定連并且所述第一連接部還與第二連接部配合形成2所述量子芯片的第一面面向所述控制電路芯片的第一面并且通過超導材料與所述控所述第一連接部支撐于所述量子芯片的第一面和所二連接部包括設置于所述量子芯片第一面和所述控制電路芯片第一面中另一者的延展性第二連接部的部分或整體嵌入相應的一個第一連接部，所述第一連接部上開設有孔或槽，或者，所述第一連接部一端固定于所述控制電路芯片的第或者，所述第二連接部的一端固定于所述量子芯片的第釩中的任意一種或多種的組合。使所述量子芯片的第一面與所述控制電路芯片的第一面相對，并使3在所述量子芯片與所述控制電路芯片之間施加壓力，使所述量4[0008]所述量子芯片的第一面面向所述控制電路芯片的第一面并且通過超導材料與所[0009]所述第一連接部支撐于所述量子芯片的第一面和所述控制電路芯片的第一面之5路芯片的第一面之間，且使每一第一連接部還與相應的一個第二連接部配合形成嵌合結[0017](1)提供的超導量子芯片的三維封裝結構，通過在量子芯片與控制電路芯片兩者[0018](2)提供的超導量子芯片的三維封裝方法，不需對芯片或控制電路芯片的襯底進[0022]圖3A至圖3E是本發明實施例1中的超導量子芯片的三維封裝結構的第二連接部的[0023]圖4A至圖4E是本發明實施例1中的超導量子芯片的三維封裝結構的第一連接部的[0024]圖5A至圖5C分別是本發明實施例1中的超導量子芯片三維封裝結構在不同位置處[0027]圖8A至圖8E是本發明實施例2中的超導量子芯片的三維封裝結構的第一連接部的[0028]圖9A至圖9E是本發明實施例2中的超導量子芯片的三維封裝結構的第一連接部的[0030]圖11是本發明實施例2中的超導量子芯片三維封裝結構的另一種第一連接部的實6[0033]所述量子芯片的第一面面向所述控制電路芯片的第一面并且通過超導材料與所[0034]所述第一連接部支撐于所述量子芯片的第一面和所述控制電路芯片的第一面之制電路芯片的第一面相抵觸，所述第二連接部的一端固定于所述控制電路芯片的第一面；[0048]本發明實施例的另一個方面還提供了一種超導量子芯片的三維封裝方法，其包7路芯片的第一面之間，且使每一第一連接部還與相應的一個第二連接部配合形成嵌合結片1和控制電路芯片2，量子芯片1的第一面面向控制電路芯片2的第一面并通過銦柱3與控一面的四角分別設置有一第二連接部，每一第一連接部的一端與控制電路芯片2的第一面子芯片1的第一面與控制電路芯片2的第一面之間，能夠通過銅柱4的尺寸精確控制量子芯此能夠增強錫柱5與銅柱4之間結合，進而加強量子芯片1和控制電路芯片2之間的鍵合強8[0064]本實施例中的三維封裝結構，一方面通過銅柱4形成的第一連接部支撐于量子芯[0066]以硬質材料銅在控制電路芯片2的第一面的四角分別加工形成銅柱4作為第一連[0067]以延展性材料錫在量子芯片1的第一面的與銅柱4對應的四角分別加工形成錫柱5表面以及對應銅柱4的襯底11的表面形成固定厚度的金9形成更加緊密牢固的結合，進而進一步加強量子芯片1和控制電路芯片2之間的鍵合強度，[0088]以硬質材料鋁在量子芯片1的第一面的四角分別加工形成空心鋁管14作為第一連[0089]以延展性材料銦在控制電路芯片2的第一面的與空心鋁管14對應的四角分別加工[0095]步驟四、在負性光刻膠7的表面以及對應空心鋁管14的空隙17的內表面形成固定金屬等離子體刻蝕方法去除負性光刻膠7表面的金屬鋁