CN115148643B 濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法 （中國科學院上海微系統與信息技術研究所）_第1頁
CN115148643B 濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法 （中國科學院上海微系統與信息技術研究所）_第2頁
CN115148643B 濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法 （中國科學院上海微系統與信息技術研究所）_第3頁
CN115148643B 濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法 （中國科學院上海微系統與信息技術研究所）_第4頁
CN115148643B 濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法 （中國科學院上海微系統與信息技術研究所）_第5頁
已閱讀5頁，還剩21頁未讀， 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

WO2020172454A1,2020.08本發明提供一種濕法蝕刻設備及濕法蝕刻吸附模塊的一端與蝕刻腔室的排液口相連通和/2通過所述過濾單元防止所述吸附劑流出所述步驟S1:將基板上的硅、氧化硅或氮化硅材料中的一種或組合暴露于蝕刻液中進行蝕步驟S2：使用吸附劑吸附硅化合物，將所述吸附劑從所述蝕34基板上的硅和/或其無機化合物材料在蝕刻液中腐蝕的機理差異較大，因此蝕刻液的使用提高生產效率是重要課題。襯底上的硅和/或其無機化合物材料在蝕刻液中的蝕刻產物之[0003]以氮化硅材料的濕法蝕刻為例，氮化硅的濕法蝕刻常用含磷酸的蝕刻液進行腐[0006]以氧化硅薄膜的濕法蝕刻為例，常用的蝕刻液為稀釋的氫氟酸溶液(DHF)或者為或其無機化合物材料在蝕刻液中的腐蝕工藝的進行，蝕刻液中的硅化合物含量逐漸上升，5設備包括蝕刻腔室及吸附模塊，所述吸附模塊的一端與所述蝕刻腔室的排液口相連通和/化合物中的任意一種或多種，或上述吸附劑的任意一種或多種的表面基團改性后的物質，胺-N-丙基及上述吸附劑的表面基團中的一種[0024]步驟S1:將基板上的硅、氧化硅或氮化硅材料中的一種或組合暴露于蝕刻液中進6化合物中的任意一種或多種，或上述吸附劑的任意一種或多種的表面基團改性后的物質，7[0048]需要說明的是,本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪附模塊的一端與所述蝕刻腔室的排液口相連通和/或所述吸附模塊設置于所述蝕刻腔室于蝕刻液中的硅化合物，比如說硅化合物的濃度超過在蝕刻液中的溶解度后形成不溶物，氮化硅材料的蝕刻產物硅化合物被所述吸附8[0057]所述吸附模塊12中設置有用于吸附氮化硅蝕刻產物硅化合物的吸附劑(也可以稱基基團的聚合物及上述吸附劑的任意一種或多種材料的氟9[0063]所述蝕刻腔室20的排液口排出的蝕刻液在所述吸附模塊12中進行了硅化合物的塊可與所述吸附模塊12相連接，和/或設置于外槽與所述吸附模塊12之間的循環管路11上述吸附模塊12和外槽之間的所述循環管路11上，以實時監測所述循環管路11中的液體流述溫度檢測模塊可以設置于所述吸附模塊12與外槽(即蝕刻腔室排液口)之間的所述循環成為同一個模塊而設置于外槽和所述吸附模塊12之間的所述循環管述過濾器14并聯設置為至少兩條管路，以在其中一個流路上的所述過濾器14出現故障時，于容納硅蝕刻液及待蝕刻的硅基板以進行氧化硅蝕刻，所述硅蝕刻設備還包括循環管路

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論