CN118448461B 一種新型超結sgt mosfet器件及其制備方法 （三江學院）_第1頁
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一種新型超結SGTMOSFET器件及其制備方法本發明公開了一種新型超結SGTMOSFET器超結P柱區上方設有上層P柱區，上層P柱區內嵌蔽柵和柵氧化層。本發明進一步降低了導通電2槽中設有控制柵和屏蔽柵，以及位于深溝槽側壁和底部且隔離控制柵和屏蔽柵的柵氧化器件兩側具有貫穿隔離氧化層和N+離子注入的源區并延伸至P阱的孔深溝槽朝向漏極接觸金屬層的一側與漏極接觸金屬層之間的間距不大于下層超結P柱上層P柱區的摻雜濃度在2E15以下，下層超結P柱區和超結N柱區的摻雜濃度在5E15以2.一種權利要求1的新型超結SGTMOSFET器件的制備方法，其特征在于：包括如下步剩下的高濃度N型摻雜層形成了超結N柱區；接著在超結N柱區上方的深溝槽中進行氧化層3S9：分別在各P阱中進行離子注入重摻雜的N型雜質，3.根據權利要求2的一種新型超結SGTMOSFET器件的制備方法，其特征在于：步驟S24標。圖1示出了傳統的以TrenchMOSFET為代表的功率MOSFET器件結構，該結構與傳統的[0003]但是隨著器件擊穿電壓值向200V及以上增大，僅僅依靠溝槽深度的增加很難實氧化層被擊穿。則如何解決低比導通電阻與高擊穿電壓之間的矛盾，成為了溝槽型功率56[0030](1)本發明中的超結區未采用多次外延、多次離子注入形成縱向交替的P柱區和N[0031](2)本發明通過帶有多階梯形的屏蔽柵和階梯形狀的柵氧化層，可以增大器件處[0032](3)本發明中控制柵的底部開口處采用濕法刻蝕出倒等腰梯形，再進行導電介質[0033](4)本發明中控制柵和屏蔽柵之間的介質層采用對多晶硅進行熱氧化的方式，生7[0047]兩個上層P柱區6(即P一電壓支持層)，一一對應式位于兩個下層超結P柱區7的上梯形，所述屏蔽柵10的底部呈多階梯形；控制柵9與屏蔽柵10之間采用柵氧化層11進行隔8個貫穿高濃度N型摻雜層上下表面的深槽，接著分別對兩個深槽中進行CVD淀積(化學氣相9[0076]控制柵9和屏蔽柵10之間的介質層采用對多晶硅進行熱氧化的方式，生長一層氧

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