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文檔簡介
項目一光伏發電系統組成及案例分析PN結的形成《光伏發電工程技術》課程學習內容
01物質根據導電性能和電阻率的分類
02
共鍵價結構
03本征半導體
04雜質半導體05PN結的形成在自然界中,物體根據導電性能和電阻率的大小被分為3類,導體、絕緣體和半導體。(1)導體電阻率在10-6~10-3Ω·cm
,如銀、鋁、銅等。
1
物質根據導電性能和電阻率的分類(2)絕緣體電阻率在108~1020
Ω·cm
,如塑料、橡膠。
1
物質根據導電性能和電阻率的分類3.半導體電阻率在10-3~108
Ω·cm左右的稱為半導體,如鍺、硅、砷化鎵及大多數的金屬氧化物和金屬硫化物。具有光敏特性、熱敏特性、摻雜特性等。
1
物質根據導電性能和電阻率的分類另外,半導體材料具有很強的光伏效應。所謂光伏效應是指物體吸收光能后,其內部能傳導電流的載流子分布狀態和濃度發生變化,由此產生出電流和電動勢的效應。太陽能電池就是利用半導體材料的這些特征,把光能直接轉化成電能。
1
物質根據導電性能和電組率的分類在半導體器件中,用得最多的材料是硅和鍺,硅和鍺都是4價元素。最外層原子軌道上具有4個電子,稱為價電子。每個原子的4個價電子不僅受自身原子核的束縛,而且與周圍相鄰的4個原子發生聯系:一方面圍繞自身的原子核運動;另一方面也時常出現在相鄰原子所屬的軌道上。這樣,相鄰的原子就被共有的價電子聯系在一起,稱為共價鍵結硅原子+4
+4
+4
2
共鍵價結構+4
+4
+4+4
+4
+4價電子構。純凈的半導體稱為本征半導體。在溫度為零開爾文(相當于?273.15℃)時,每一
個原子的外圍電子被共價鍵所束縛,不能自由移動。這樣,本征半導體中雖有大量的價電子,但沒有自由電子,此時半導體是不導電的。當溫度升高或受光照時,半導體共價鍵中的價電子并不像絕緣體中束縛得那樣緊,價電子從外界獲得一定的能量,少數價電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子,在共價鍵中將留下一個空位,稱為空穴。原子因失掉價電子而帶正電,或者說,空穴帶正電。如果有一個電子從共價鍵中釋放出來,就必
定留下一個空穴。所以本征半導體中電子和空穴總是成對地出現,稱為電子-空穴對。 3
本征半導體N型半導體在硅或鍺的晶體中摻入少量的五價元素,如磷,則形成N型半導
體。
4
雜質半導體磷原子正離子+4息息
+4+4+4+5息息
+4息息
+4
+4
+4自由電子+4在N型半導中,電子是多數載流子,空穴是少數載流子。N型半導體中電子數遠遠大于空穴數。多子是電子(其數量主要取決于雜質的摻雜濃度)少子是空穴(其數量主要取決于環境的溫度)少數載流子多數載流子正離子N型半導體結構示意圖
4
雜質半導體P型半導體在本征半導體(鍺或硅)中
摻入3價元素,如硼,將形成
P型半導體。
+4
+4
4
雜質半導體……
+4
……
+4
……
+4
+4…………
+4
…………息息
+4
+4硼原子+3負離子填補空位空穴P型半導體中空穴數遠遠大于電子數。多子是空穴(其數量主要取決于雜質的摻雜濃度)少子是電子(其數量主要取決于環境的溫度)空穴是多數載流子電子是少數載流子負離子P型半導體結構示意圖
4
雜質半導體用專門的制造工藝在同一塊半導體單晶上,形成
P型半導體區域和N型半導體區域,在這兩個區域的交界處就形
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