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全球碳化硅產業向好國際大廠市場占有率高國內企業持續擴大投資加速追趕碳化硅屬于第三代半導體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應用場景有極大優勢。碳化硅制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積，下游應用廣泛，包括半導體器件、耐火材料、功能陶瓷、冶金原料、磨具磨料等。在碳化硅器件成本結構中，襯底成本約占50%。碳化硅器件成本結構\t"/market/202112/_blank"，隨著新能源汽車、工業電源行業發展，全球碳化硅器件需求增多，行業市場規模快速增長。數據顯示，全球電力電子碳化硅市場規模為5。64億美元，較上年同比增長31。2%；2020年，全球電力電子碳化硅市場規模約為6。03億美元，較上年同比增長6。9%。2018-2020年全球電力電子碳化硅市場規模、增速及預測現階段，國際龍頭企業占據碳化硅市場主要位置，其中美國Cree領先發展。數據顯示，2020上半年美國Cree半導體SiC晶片出貨量占據全球45%。2020年H1全球半導體SiC晶片出貨量占比情況從國內企業來看，經過十余年的技術自主研發，國內龍頭碳化硅襯底企業已經掌握2-6英寸的碳化硅襯底制備方法，產品質量達到國際先進水平，并持續擴大投資碳化硅襯底項目，逐步提升市場份額。國內廠商碳化硅投資情況公司名稱地點碳化硅投資情況三安光電湖南長沙2021年6月，總投資160億元的湖南三安半導體基地一期項目正式投產，產能規模達到6寸3萬片/月。露笑科技浙江紹興公司項目計劃總投資6.95億元，主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝，建成后形成年產8.8萬片碳化硅襯底片的生產能力。天科合達北京2020年投資第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目95,706.00萬元，建設一個包括晶體生長、晶片加工和清洗檢測等全生產環節的生產基地。項目投產后年產12萬片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸導電型碳化硅晶片約為8.2萬片，6英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8萬片。山東天岳山東濟南在上海臨港新片區建設碳化硅襯底生產基地，滿足不斷擴大的碳化硅半導體襯底材料的需求。公司的“碳化硅半導體材料項目”已被上海市發改委列入《2021年上海市重大建設項目清單》。為實現產能擴張，正在募資建立25億元項目。同光晶體河北保定公司已完成自主搭建200臺單晶生長爐

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