標準解讀

《GB/T 15861-1995 離子束蝕刻機通用技術(shù)條件》這一標準文件規(guī)定了離子束蝕刻機應(yīng)滿足的基本技術(shù)要求、測試方法以及檢驗規(guī)則，旨在確保設(shè)備的性能穩(wěn)定性和加工質(zhì)量的一致性。以下是該標準主要內(nèi)容的概述：

  1. 范圍：明確了本標準適用的離子束蝕刻機類型，通常用于半導體、微電子、光學元件等領(lǐng)域中的材料精密加工，通過離子束轟擊實現(xiàn)材料表面的精確蝕刻。

  2. 引用標準：列出了實施本標準時需要參考的其他相關(guān)國家標準或行業(yè)規(guī)范，這些標準涉及電氣安全、機械安全、環(huán)境條件等方面的要求。

  3. 術(shù)語和定義：對離子束蝕刻機相關(guān)的專業(yè)術(shù)語進行了明確界定，便于讀者理解和執(zhí)行標準內(nèi)容。

  4. 分類與型號：根據(jù)離子束能量、加工面積、設(shè)備結(jié)構(gòu)等特點，對離子束蝕刻機進行分類，并規(guī)定了型號命名規(guī)則，以便用戶根據(jù)需求選擇合適的機型。

  5. 技術(shù)要求：

    • 性能指標：包括離子束的能量范圍、束流穩(wěn)定性、加工精度、均勻性等關(guān)鍵參數(shù)的具體要求。
    • 安全性：確保設(shè)備在操作、維護過程中的電氣安全、機械安全及防護措施達到國家相關(guān)安全標準。
    • 環(huán)境適應(yīng)性：設(shè)備需能在規(guī)定的溫度、濕度、潔凈度等環(huán)境下正常工作，且對周圍環(huán)境的影響控制在允許范圍內(nèi)。
    • 可靠性：規(guī)定了設(shè)備連續(xù)工作時間、故障率等指標，確保長期穩(wěn)定運行。

  6. 試驗方法：詳細說明了如何對離子束蝕刻機的各項技術(shù)指標進行測試和驗證，包括測試環(huán)境、測試設(shè)備、測試步驟和判定準則。

  7. 檢驗規(guī)則：包括出廠檢驗、型式檢驗的項目、抽樣方案及合格判定標準，確保每臺出廠設(shè)備均符合技術(shù)要求。

  8. 標志、包裝、運輸和貯存：對設(shè)備的標識信息、包裝方式、運輸條件及貯存環(huán)境提出了具體要求，以保護設(shè)備在流通和存放期間不受損害。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 15861-2012
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實施
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ICS31.200L97中華人民共和國國家標準GB/T15861-1995離子束蝕刻機通用技術(shù)條件GenericspecificationT0mbeametchingsystem1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準CB/T15861-1995離子束蝕刻機通用技術(shù)條件Genericspecificationofionbeametchingsystem主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了離子束蝕刻機的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、運輸、定存本標準適用于物理濺射腐蝕作用的通用離子柬蝕刻機。其它專用離子束蝕刻機亦可參照執(zhí)行引用標準GB191包裝儲運圖示標志GB5080.7設(shè)備可靠性試驗恒定失效率假定下的失效率與平均無故障時間的驗證試驗方案SJ142電子工業(yè)專用設(shè)備總技術(shù)要求SJ1224真空蒸發(fā)設(shè)備通用技術(shù)條件SJ/T10152集成電路主要工藝設(shè)備術(shù)語3術(shù)語3.1束能量beamenergy表征離子束中離子的動能。單位以電子伏特(eV)計3.2柬流雷度beamcurrentdensity離子束某一指定截面上單位面積所通過的電流強度。3.3有效束徑effectivebeamdiameter杠到靶上的束流密度均勻性在土5%以內(nèi)的束直徑范圍3.4東流均勾性uniformityofbeamcurrent離子束某一指定截面上各等距測試點間束流密度變化的最大與最小值之差與其之和的比的百分3.5束流穩(wěn)定性stabilityofbeamcurrent定時間內(nèi)束流強度變化的均方根值與其平均值之比。3.6蝕刻均勾性etchuniformity被蝕刻材料表層不同點上的蝕刻速率的不一致性。3.7中和器neutralizer產(chǎn)生中和離子束中正電荷的電子發(fā)射源。4產(chǎn)品分類按加工工件置放方式分：立式離子束蝕

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