GB/T 17473.3-2008微電子技術用貴金屬漿料測試方法方阻測定

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犎６８

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８

微電子技術用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

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２００８０３３１發布２００８０９０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

微電子技術用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經銷

開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字數９千字

２００８年６月第一版２００８年６月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３１５２２

如有印裝差錯由本社發行中心調換

版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

前言

本標準是對ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》（所有部分）的整合修

訂，分為７個部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法固體含量測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法細度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法附著力測試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法粘度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法方阻測定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動：

———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———增加低溫固化型漿料方阻的測定方法；

———原標準的原理中，“將漿料用絲網印刷在陶瓷基片，經過燒結后，膜層在一定溫度及其厚度、寬

度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上，經過燒結或

固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；

———測厚儀修改為：光切顯微測厚儀用于燒結型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

本部分的附錄Ａ為規范性附錄。

本部分由中國有色金屬工業協會提出。

本部分由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。

本部分由貴研鉑業股份有限公司負責起草。

本部分主要起草人：金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。

本部分所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

微電子技術用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

１范圍

本部分規定了微電子技術用貴金屬漿料方阻的測試方法。

本部分適用于微電子技術用貴金屬漿料方阻的測定。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵根據本部分達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本