GB/T 4937.19-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第19部分：芯片剪切強度

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第19部分芯片剪切強度

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part19Dieshearstrenth

:g

(IEC60749-19:2010,IDT)

2018-09-17發布2019-01-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩態濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩態溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:(HSAT);

第部分溫度循環

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法

———37:;

第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法

———40:;

第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493719。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749-19:2010《19:

芯片剪切強度

》。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所深圳市標準技術研究院

:、。

本部分主要起草人裴選彭浩高瑞鑫高金環馬坤

:、、、、。

Ⅱ

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第19部分芯片剪切強度

:

1范圍

的本部分用來確定將半導體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟

GB/T4937

的完整性基于本試驗方法的目的本部分中半導體芯片包括無源元件

(,)。

本部分適用于空腔封裝也可作為過程監測不適用于面積大于2的芯片以及倒裝芯片和

,。10mm,

易彎曲基板

。

注1通過測量對芯片或元件所加力的大小觀察在該力作用下產生的失效類型如果出現失效以及殘留的芯片附

:,()

著材料和基板管座金屬化層外形來判斷器件是否接收

/。

注2對于空腔封裝芯片剪切強度試驗是為了確定空腔內的芯片附著強度對于非空腔封裝如塑封芯片粘接是

:,。,,

為了防止芯片在樹脂鑄模完全成型之前發生位移

。

除以下情形外不需要提供芯片剪切強度說明和鑄模之后芯片粘結最小面積

,:

芯片與焊盤之間存在電連接

a);

芯片熱量需通過粘結處散發

b)。

2試驗設備的說明

本試驗設備為一臺能施加應力的儀器即一臺線性運動加力儀或帶有杠桿臂的圓形測力計此外

,。,

該設備還應具有以下能力

:

接觸工具能把力均勻地施加到芯片的一條棱邊與管座或基板的芯片安裝平面垂直見圖

a),(3)。

接觸工具上可采用柔軟的材料