標準解讀

《GB/T 8760-1988 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法》是一項國家標準，專門針對砷化鎵單晶材料中的位錯密度進行測定。該標準詳細規定了使用腐蝕坑法來測量砷化鎵單晶樣品表面位錯密度的具體步驟和技術要求。

首先，標準介紹了適用范圍，指出其適用于直徑不大于50mm的砷化鎵單晶圓片或棒材的位錯密度檢測。接著，定義了關鍵術語如“位錯”、“位錯密度”，以及用于描述測試結果的相關單位和符號。

在準備階段，標準明確了樣品制備的要求，包括尺寸、形狀及表面處理等細節。為了確保測試準確性，還特別強調了樣品清洗的重要性，并給出了推薦的清洗流程。

隨后，標準詳述了腐蝕液的選擇與配制方法。根據不同的實驗條件和個人偏好，可以選擇多種類型的腐蝕劑，但無論哪種，都必須嚴格按照給定的比例精確配比，并注意安全防護措施。

接下來是核心部分——腐蝕過程的操作指南。這一步驟中，溫度控制、時間設定等因素都被嚴格限定，以保證每次實驗條件下的一致性。此外，還提供了如何觀察并記錄腐蝕后形成坑點的方法。

最后，在數據分析章節里，標準說明了如何通過統計一定區域內腐蝕坑的數量來計算出樣品的平均位錯密度值，并給出了相應的公式。同時，也指出了誤差來源及減少誤差的方法。

整個文件通過對每一步驟的細致描述，為從事相關研究或生產的人員提供了一個科學、規范的操作框架，有助于提高測量結果的可靠性和可比性。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 8760-2006
  • 1988-02-25 頒布
  • 1989-02-01 實施
?正版授權
GB/T 8760-1988砷化鎵單晶位錯密度的測量方法_第1頁
GB/T 8760-1988砷化鎵單晶位錯密度的測量方法_第2頁
免費預覽已結束，剩余6頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 8760-1988砷化鎵單晶位錯密度的測量方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC661.868.1.46：620.18H24中華人民共和國國家標準GB8760—88砷化鏢單晶位錯密度的測量方法GalliumarsenidesinglecrystalDeterminationofdislocationdensity1988-02-25發布1989-02-01實施家標準局國發布

中華人民共和國國家標準UDC661.868.1.46：620.18砷化鏢單晶位錯密度的測量方法GB8760—88Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity本標準適用于位錯密度為0～100000個/cm的砷化鏢單晶的位錯密度的測量。檢測面為1111)和100}面。1定義1.1位錯單品體中部分原子受應力作用產生滑移，已滑移部分與未滑移部分的分界線稱為位錯線，簡稱位1.2位錯密度單位體積內位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm'）。本標準位錯密度指在單位表面積內形成位錯腐蝕坑的個數（個/cm'）。2方法原理采用擇優化學腐蝕技術顯示位錯。晶體中位錯線周圍的品格發生畸變，在晶體表面上的露頭處，對某些化學腐蝕劑優先受到腐蝕。因此在品體的某一品面上缺陷露頭處容易形成由某些低指數面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑或小丘。化學試劑3.1硫酸（H.SO.）.95%~98%，3.2過氧化氧（H,O,）,30%。3.3氫氧化鉀(KOH).78.2%，一級純。3.4去離子水。試樣制備4.1定向切割從單品鍵的待測部分經定向后，切取厚度大于0.5mm的單品片，品向偏離要求小于8°。4.2研磨用302°金剛砂水漿研磨，使表面平整。清洗后，再用306*金剛砂水漿研磨，使表面光潔無劃痕，清洗·吹干。4.3位錯腐蝕坑顯示4.3.1化學拋光用新配制的H.SO，，：H.O，：H.O－3：1：1（體積比)拋光液，將試樣表面拋光成無損傷的鏡面。4.3.2位錯腐蝕將氫氧化鉀放在鉑或銀塔場內加熱，待熔化并沒清后，溫度保持在400±

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經授權，嚴禁復制、發行、匯編、翻譯或網絡傳播等，侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數字商品的特殊性，一經售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質量問題。

最新文檔

評論

0/150

提交評論