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文檔簡介

《微電子概論（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝躍賈新章史江一》SecondEdition1.基區(qū)串聯(lián)電阻2.4.5BJT功率特性2.基區(qū)橫向壓降與發(fā)射極電流集邊效應(yīng)3.功率BJT的交叉梳狀結(jié)構(gòu)版圖設(shè)計目錄4.外延結(jié)構(gòu)晶體管1.基區(qū)串聯(lián)電阻RB

基區(qū)串聯(lián)電阻RB對BJT特性特別是大電流特性有重大影響，在設(shè)計晶體管時需要考慮如何減小RB。為此應(yīng)該分析了解平面工藝BJT中基區(qū)串聯(lián)電阻的組成特點。1.基區(qū)串聯(lián)電阻RB(1)平面工藝BJT中RB的組成

包括三個區(qū)域的電阻：RB1：在發(fā)射區(qū)正下方，稱為有源基區(qū)（或者內(nèi)基區(qū)）電阻。RB2：稱為無源基區(qū)（或者外基區(qū)）

電阻。(Rcon)B：基極引出端處的金屬-半導(dǎo)體接觸電阻。1.基區(qū)串聯(lián)電阻RB(2)基區(qū)串聯(lián)電阻RB的影響

①

基區(qū)電阻產(chǎn)生的自偏壓效應(yīng)將嚴(yán)重影響B(tài)JT的大電流特性；

②導(dǎo)致輸入電阻增大，影響功率放大特性，使得最高震蕩頻率下降；

因此，RB只有負(fù)面影響，應(yīng)盡量減小基區(qū)串聯(lián)電阻

。1.基區(qū)串聯(lián)電阻RB(3)減小RB的主要技術(shù)途徑

從原理上講，增加基區(qū)摻雜濃度、增加基區(qū)寬度均可以減小基區(qū)串聯(lián)電阻。

但是這兩項措施均與提高晶體管電流放大系數(shù)的要求相矛盾。

目前集成電路制造工藝中，主要通過無源基區(qū)重?fù)诫s、采用雙基極條結(jié)構(gòu)這兩種措施減少基區(qū)串聯(lián)電阻。1.基區(qū)串聯(lián)電阻RB(3)減小RB的主要技術(shù)途徑

從原理上講，增加基區(qū)摻雜濃度、增加基區(qū)寬度均可以減小基區(qū)串聯(lián)電阻。

但是這兩項措施均與提高晶體管電流放大系數(shù)的要求相矛盾。目前集成電路制造工藝中，主要通過無源基區(qū)重?fù)诫s、采用雙基極條結(jié)構(gòu)這兩種措施減少基區(qū)串聯(lián)電阻。(a)無源基區(qū)重?fù)诫s基區(qū)中影響晶體管電流放大系數(shù)的主要是有源基區(qū)，這部分摻雜濃度不能太高。常規(guī)基區(qū)摻雜后，可以在無源基區(qū)部分再進(jìn)行一次p+摻雜，減小RB2

。現(xiàn)代雙極集成電路制造過程中都包含有無源基區(qū)重?fù)诫s工藝。1.基區(qū)串聯(lián)電阻RB(3)減小RB的主要技術(shù)途徑

(b)采用雙基極條結(jié)構(gòu)

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