集成電路版圖設計課件：反相器電路繪制及版圖設計_第1頁
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文檔簡介

反相器電路繪制及版圖設計反相器電路繪制01反相器版圖設計02反相器版圖設計進階03目錄PARTONE反相器電路繪制1

反相器電路繪制

在LibraryManager中點擊File—New—CellView

依次選擇對應的Library、Cell、Type等信息。反相器電路繪制

通過快捷鍵i添加電路元器件

將smic18bcdepi工藝庫中的p18與n18電路元器件添加到電路中，設置Length為1u，Width為3u。反相器電路繪制

通過快捷鍵p添加電路端口

將輸入輸出端口添加至電路中，IN端口為input，OUT端口為output，VDD與GND端口為inputoutput。反相器電路繪制

通過快捷鍵w對元器件及端口進行連線

依次MOS器件的源、漏、柵、襯底端口與輸入輸出端口進行接線。反相器電路繪制線路繪制完畢之后，點擊檢查與保存查看器件與端口是否有懸空，排除因器件與端口懸空而造成的閃爍報錯。PARTTWO反相器版圖設計2

反相器版圖設計在LibraryManager中點擊File—New—CellView創建一個與電路圖名稱一樣的版圖單元，

依次選擇對應的Library、Cell、Type等信息。或在電路圖中使用LayoutXL工具新建Cell。反相器版圖設計繪制之前，通過快捷e，修改版圖格點在工藝規則文檔中，要求Layout設計師必須將格點設置為0.001um。如果未按照要求進行設置，首先無法精準調整layer的距離與大小，其次DRC也無法通過。反相器版圖設計①②③步驟①：設置X、Y數值為0.001；步驟②：點擊Library選項并保存；步驟③：點擊Apply選項后點擊OK。反相器版圖設計在每個Fab廠之間，Layername都或多或少會不一樣。有源區：ActiveArea（AA）；N阱：N-Well（NW）；多晶硅：PolyGate（GT）;N型注入：N+Implant（SN）;P型注入：P+Implant（SP）；通孔：Contact（CT）；第一層金屬：metal1（M1）。反相器版圖設計使用R、S、K等快捷鍵進行版圖繪制快捷鍵R：繪畫矩形；快捷鍵S：拉伸；快捷鍵K：標尺；快捷鍵C：復制；快捷鍵M：移動；快捷鍵F：居中；快捷鍵ESC：取消指令；………………PARTTHREE反相器版圖設計進階3

反相器版圖設計進階

在電路原理圖中查看元器件屬性，不關閉窗口。回到LSE中，按下快捷鍵I創建元器件版圖，選擇正確的Library名稱、Cell名稱及View，即可調出相對應的元器件版圖。①②③反相器版圖設計進階使用快捷鍵進行版圖快速繪制快捷鍵L：創建Label；快捷鍵A：快速對齊；快捷鍵O：插入接觸孔；快捷鍵Q：顯示屬性；快捷鍵F3：工具屬性；

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