2025年EDI說明書文檔

山東四海水處理設備有限公司PAGEPAGE1EDI運行操作維護說明書山東四海水處理設備有限公司人身安全注意事項電氣系統必須使用隔離電源變壓器。EDI及就地控制盤是帶電的，因此在進行EDI設備控制盤內部操作時，應保證系統電器是處于關閉的位置。電氣使用應有以下保證：1、定期檢查各個接線端子的接線，保證接線牢靠穩固。2、修復或更換性能不好的電器元件。3、經常檢查電控箱密封性能，保證外部水滴不被進入。4、處理電器故障或更換電器元件時，必須由專業電氣人員進行。5、在系統工作狀態下，禁止拆卸電源線。機械機械、工具使用應有以下保證：由于EDI MX-XXX系列膜塊為帶電組件，有可能會發生觸電危險，因此不可將例如工具、螺栓、螺母等金屬雜物放置在EDI膜塊上面。非專業維護人員不得調節膜塊兩端的緊固螺栓。若有發生膜塊滲水或泄漏情況時，應及時停止系統運行，并通知專業維護人員進行檢查處理。本裝置任何時候都不能由未經培訓或無操作經驗的人員操作。除非仔細閱讀并完全理解本手冊內容及經過了相關培訓，否則不能操作該EDI設備。對于不符合本手冊要求的操作人員造成設備損壞，本公司不承擔任何責任。目錄EDI的基本概述3EDI的技術與基礎系統設計4EDI進水條件4基礎系統設計4系統設計考慮的其他因素7EDI模塊的操作、再生及清洗73.1EDI設備的操作73.2設備的化學清洗及再生9顆粒/膠體污堵10無機物污堵10有機物污堵11微生物污堵11EDI系統運行中常見故障和處理22EDI的基本概述EDI在傳統的水處理系統中可替代現有的混床，它能夠連續穩定地制取高純度的水。EDI的最大優點在于不用化學藥劑進行再生，因而不需要化學再生藥劑貯存罐及相應的中和池，而且無須對有害的化學物廢水進行收集、貯存及處理，結果使用EDI后，大大的簡化了系統。RO的應用降低了對大型設備場地占用的要求，而EDI的技術的應用則完全地符合了這一點。由于EDI系統可以依據現場實際情況進行適配設計組合，保證設備廠房間內無高罐（混床）存在。在要求成套設備能迅速地安裝起來并以投入運行時，采用膜法系統的設備在這方面有著極其不可忽略的優勢。還有一個特點是，EDI排出的濃水中僅含有進水中的雜質成分，通常這種水的水質比預處理系統的進水水質要好，故濃水可以考慮直接地回收送至RO的原水入水口，這樣就有效地消除了對廢水的排放。相反，混床的再生是一個一次性的過程，由于使用化學藥劑再生離子交換樹脂床，其廢液中含有比一般ED濃水高3－4倍的廢棄離子，這類廢液通常不回收到預處理系統中，而是排放于廢水中和池內。RO－EDI的運行過程是連續的，其生產的水質穩定，它不象混床在每一個再生周期的開始及結束階段因離子的泄漏而影響出水水質。這種連續運行的方式也簡化了操作，無需再設置考慮因再生工作需要調整相關設備的操作人員及操作程序。歸納為以下幾點工作連續制造純水，無間斷運行在線再生，無須加鹽系統不需要酸、堿化學試劑對樹脂再生回收率高，廢水利于循環再用出水水質穩定容易實現膜塊組合達到制水能力要求運行費用低，符合環保要求EDI的應用領域⊙電廠化學水處理⊙電子、半導體行業超純水⊙精密機械行業超純水⊙制藥工業工藝用水⊙實驗室研究用超純水⊙精細化工、精尖學科用水⊙其他行業所需的高純水制備EDI的技術與基礎系統設計EDI進水條件水源：反滲透RO產水，電導率1-20μs/cm，最大電導率≤50μs/cm（NaCl）PH值：5.5—9.5(PH7.0—8.0之間EDI可有最佳電阻率性能)溫度：15℃--35℃，（EDI最佳溫度在進水壓力（DIN）：0.2—0.4MPa濃水進水壓力（CIN）：比DIN端壓力低0.05—0.1MPa(必須)產水壓力(DOUT)：0.05—0.25MPa濃水出水壓力(COUT)：比DOUT端壓力低0.05—0.1MPa(必須)進水硬度：＜0.5ppm進水有機物：TOC＜0.5ppm進水氧化劑：Cl2（活性）＜0.03ppm，O3（臭氧）＜0.02ppm，HO.（羥基氧）＜0.02ppm進水重金屬離子：Fe、Mn、變價性金屬離子＜0.01ppm進水硅：SiO2＜0.5ppm（反滲透RO產水典型范圍是50-150ppb）進水總CO2：＜5ppm進水顆粒度：＜1μm2.2基礎系統設計要保證一個良好的EDI系統設備運行穩定，出水品量優質，合理的整體水處理系統設計是不可忽略的。系統設計因素包括：EDI進水預處理系統（保證符合進水條件）系統的智能保護和控制設備容易操作和數據讀判系統膜塊構成要求最少系統安全性設計2.2.1EDI進水預處理系統目前圍繞應用EDI系統的預處理解決方案層出不窮，下面是本次系統處理方案。二級RO工藝（主要組成）阻垢劑加藥裝置原水箱→原水泵→介質過濾器→活性炭過濾器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透裝置→中間水箱→二級高壓泵→二級反滲透裝置→中間水箱→↑↑↑PH調節裝置清洗裝置增壓泵→EDI→純水箱工藝特點：二級RO：通過二級RO方案技術處理，可以完全達到EDI設備進水條件的各項要求。EDI系統可以穩定且長期運行。一個良好的EDI系統的構成，最主要就是其前處理部分在設計中就要考慮到盡最大可能滿足上面所提到的EDI進水條件，推薦的兩個方案中所配置的主要設備其功能如下：介質過濾器：去除水中的顆粒、懸浮物、膠體等雜質，使出水的濁度小于1，SDI≤4。保證RO不被這些雜質污堵。活性炭過濾器：去除水中的活性余氯和一些氧化物、有機物等，保護RO反滲透膜、離子交換樹脂和離子膜不被氧化降解。阻垢劑加藥裝置：去除水中部分的Ca、Mg離子，降低水中的硬度，防止RO、EDI設備里的膜元件結垢而造成污堵，導致元件失效。2.2.2系統的智能保護和控制除了合理的EDI整體組合設計外，良好的電氣控制也是不可忽略的，由于EDI膜塊的主要工作是靠電場的作用來實現離子交換和樹脂再生，因而設計中要考慮對輸入膜塊的電流、電壓有一個限制，并且能被系統控制器關斷。為了保護EDI膜塊，輸入電源應在EDI膜塊的任何水流低于設定值時自動關斷，同時也要考慮在產水電阻率低于工藝要求時，產水閥能自動切換至再生狀態，并有警示燈顯示。系統設計中要有電導率/電阻率表配套。2.2.3系統設計中應使設備容易操作和儀表的讀判為了系統的操作方便、讀表容易，在設計中要考慮各種操作閥門、儀表配置在便于操作的一面，管路配置連接應避免不必要的冗余轉角，各個流量計、壓力表要有明確標示其功能及設定數據。導電度表、PLC、配電柜等控制元件，應組合在一個控制柜內，且控制柜的面板上的操作旋扭/按扭的位置也應設置在容易操作和觀察的地方。2.2.4系統安全性設計EDI膜塊外部配有電源端子接線盒，因此在系統設計中要考慮系統的絕緣，保證操作人員的人身安全。所有的膜塊應固定在金屬機架上，且與機架有良好的接觸，機架必須設計有安全接地裝置。由于水具有導電性能，電流能通過水導通到機架，因此，設計中還必須在各個進水口及出水口設計有“T”形接地連接點，通過接地線固定連接到機架。模塊的泄漏是不允許的，因此，一旦發生這種情形，必須隨時停機檢查泄漏原因。通常模塊泄漏主要是因模塊兩端的緊固螺栓有松動而引起的，可以通過檢查和重新緊固螺栓得以解決泄漏。螺栓的扭矩對于維持高產品水電阻率和防止泄漏是非常重要的，如果模塊松動除了造成泄漏，還會在濃水室引起鹽份結晶形成堵塞。防止泄漏是使用者的責任。下面的情況之一應該重新檢查和調整螺栓的扭矩：1、當模塊運輸到達目的地后；2、當模塊已經組合安裝在單元設備機架上后；3、當單元設備貨運到達現場后；4、用戶在現場調試操作前；5、當供水壓力被確認和應用后；6、在單元設備運行的第一個月內每周進行檢查，直至內部的離子膜組件已經完全被壓緊；7、在產品水品質有下降的任何時候；所有的模塊在制造廠都已經作過調整和緊固。在安裝后和模塊操作之前，應按照技術手冊中螺栓緊固示意圖進行緊固。注意螺栓的調整、緊固順序是非常重要的，合理的緊固順序可以避免離子膜組件扭曲變形并確保內部壓力水的一致性。2.3系統設計考慮的其他因素1、考慮預留清洗系統的接口2、考慮預留膜塊再生時能夠構建自循環管路3、考慮系統的旁路裝置4、濃水排放管須獨立設置且不能有背壓情況存在，要求避免與其他管路共管。5、EDI系統在連續運行狀態下能發揮最好的效力，如果終端用戶的使用工況不能滿足此要求，應該考慮增設自循環裝置，減少系統設備間歇性停機次數。EDI設備的操作、再生及清洗3.1EDI設備的操作一臺完整的EDI設備應該有以下部件構成EDI膜塊整流電源（移相調控器）流量計電阻率儀壓力表PLC控制箱電源控制儀表連接管路、閥門接地保護連接線3.1.1設備投運前的準備工作1、確認進入EDI的水質滿足、符合進水條2、全面檢查EDI膜塊兩端板的緊固螺栓是否全部鎖緊3、檢查LPC就地控制盤電源是否通電4、檢查膜塊的直流電源接線是否正確5、檢查確認輸送泵的電機運轉方向是否正確6、檢查各個儀表工作電源是否符合設備要求7、檢查各個儀表工作范圍設定是否符合現場設定要求8、調整、設定各流量限位開關最低值（產水、濃水進水、濃水排水）9、設定進水壓力10濃水進水壓力11設定濃水排水壓力12設定產水壓力13檢查各個調節閥門是否處于開啟狀態（初期先調節開啟度全程的1/2）3.1.2設備的投運設備初期運行調節產水、濃水進水、濃水排水之流量限位保護開關至設定值并固定鎖緊，在PLC控制面板上將增壓泵開關調到手動檔，啟動增壓泵向膜塊注水至產水流量計、濃水給水、濃水排水流量計有水通過，調節產水閥門、濃水進水閥門、濃水排水閥門，使其達到設定值。隨后將EDI膜塊開關旋至自動檔，大約5-10秒后自動通電運行。EDI電流設定為3-4A。膜塊啟動后，電流值會逐漸上升至設定值。當系統進入穩定運行狀態后，開始記錄設備的各項運行數據。數據的記錄通常是每隔2小時記錄一次。EDI系統為高壓設備，足以對人身安全造成傷害，因此在整流器工作時，不要觸碰它，并且確保在工作現場配備了必要的安全措施。設備的正常運行設備調試好后，就可以轉入正常的運行。先將設備按照手動停機方法的第1、2條進行設備停運，之后將PLC面板上的增壓泵開關調到自動檔，EDI膜塊的開關選擇轉至自動檔，系統便進入自動運行狀態。提示：系統進入自動運行的條件必須是滿足：1、給水箱液位開關處于中、高液位以上2、產水箱液位處于中、低液位以下3、產水、濃水進水、濃水排水流量在設定限位值以上設備的停機手動運行時停機1、在PLC面板上將EDI膜塊的選擇開關切換至“停止”的位置2、將增壓泵的選擇開關切換至“停止”的位置3、關閉增壓泵進水閥門、產水閥門、濃水排放閥門自動運行時停機設備正常運行時在達到水箱設定液位值后會自動停止運行。為了保證EDI的安全運行，系統在控制方面進行以下幾種自動連鎖控制，當不滿足以下其中條件之一時，設備也會自動停止運行。1、濃水進水流量、濃水排水流量或產水流量之一低于各自的設定值時，限位開關會自動動作。2、給水箱液位低或產水箱液位高時，液位開關會自動動作。3、沒有變壓器工作的反饋信號4、增壓泵過載※提示：EDI整流設備停運時，不得有RO（或相同水質的水）通過設備，否則設備在下次啟運時需要較長的時間進行再生。設備長時間的停運如果EDI系統停運時間超過3天時，就應做好長時間停運保護，以免EDI內部微生物孳生。1、切斷PLC控制柜內的所有電源開關。2、允許EDI管路系統遺留水排空，避免其間存有死水。3、關閉所有系統的閥門。4、長時間停運后的重新啟動，膜塊可能需要消毒清洗或再生。3.2設備的化學清洗及再生雖然EDI膜塊的進水條件在很大的程度上減少了膜塊內部阻塞的機會，但是著設備運行時間的延展，EDI膜塊內部水道還是有可能產生阻塞，這主要是EDI進水中含有較多的溶質，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2和較高的PH值，將會加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過化學清洗的方法對EDI膜塊進行清洗，使之恢復到原來的技術特性。通常判斷EDI膜塊被污染堵塞可以從以下幾個方面進行評估判定：1、在進水溫度、流量不變的情況下，進水側與產水側的壓差比原始數據升高45%。2、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水進水側與濃水排水側的壓差比原始數據升高45%。3、在進水溫度、流量及電導率不變的情況下，產水水質（電阻率）明顯下降。4、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降35%。膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式：1、顆粒/膠體污堵2、無機物污堵3、有機物污堵4、微生物污堵EDI清洗注意：在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學藥劑并熟悉安全操作規程，切不可在組件電源沒有切斷的狀態下進行化學清洗。顆粒/膠體污堵進水顆粒度≥5μm時會造成進水流道堵塞，引起膜塊內部水流分布不均勻，從而導致膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進水不是直接由RO產水端進入EDI膜塊，而是通過RO產水箱經過增壓泵供水，建議在進入EDI膜塊前端增設保安過濾器（≤0.2μm）。在組裝EDI設備時，所有的連接管道系統應沖洗干凈以預防管道內的顆粒雜質進入膜塊。無機物污堵如果EDI進水含有較多的溶質且超出設計值或者回收率超過設計值時,將導致濃水室和陰極室的結垢，生成鹽類物質析出沉淀，通常結垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質的濃度很小，接觸時間也很短，但隨著運行時間的累加，仍有發生結垢的可能，這種硬度結垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法，使用低PH溶液在系統內部循環清洗，可以去除濃水室和陰極室的結垢。當進水中的鐵和錳含量高，或者高TDS的水以外進入到EDI膜塊時，也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵。可以采用方案2進行清洗。有機物污堵當進水有機污染物TOC或TEA含量超過設計標準時，淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發生有機污堵。可以采用方案3的方法，用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環清洗可以將有機分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進行清洗。微生物污堵當設備運行環境適于微生物生長，或者進水中存在較多的細菌和藻類的時候，EDI膜塊和系統也會發生微生物污堵。可以采用方案3、4中的方法用高PH鹽水進行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴重時，可以采用方案5進行清洗。如果同時伴有無機物污堵，可以按照方案6加入酸洗步驟。對于極嚴重的微生物污堵，可以采用方案7或8以高PH藥劑清洗。下面是清洗方案選擇表：問題/方案12345678濃水室結垢☆淡水室結垢☆有機物污堵☆有機物污堵和結垢☆微生物污堵☆微生物污堵和結垢☆嚴重的微生物污堵☆嚴重的微生物污堵和結垢☆極嚴重的微生物污堵☆極嚴重的微生物污堵和結垢☆各清洗方案的主要操作步驟步驟12345678步驟一濃水室酸洗酸洗堿洗酸洗鹽水清洗酸洗鹽水清洗酸洗步驟二沖洗沖洗沖洗堿洗沖洗鹽水清洗沖洗鹽水清洗步驟三再生再生沖洗消毒沖洗消毒沖洗步驟四再生鹽水清洗消毒堿洗消毒步驟五沖洗鹽水清洗沖洗堿洗步驟六再生沖洗再生沖洗步驟七再生再生各清洗方法時間清洗方法時間（分）備注酸洗30-50堿洗30-50鹽水清洗35-60消毒25-40沖洗≥50再生≥120根據系統的工藝要求直至達到出水電阻率要求指標單個模塊清洗時藥液配用量型號藥液配用量（升）備注MX-50501、酸洗溫度15-252、堿洗溫度25-303、配藥液用水必須是RO產水或高于RO產水的去離子水MX-10080MX-200110MX-300150對于膜塊數量大于1塊時，按表中配液的數量乘以膜塊數量。清洗用化學藥品規格所有化學藥品必須使用推薦的等級或高于推薦的等級藥品名稱推薦等級備注鹽酸（HCl）化學純或試劑級氫氧化鈉（NaOH）化學純或試劑級液態：50%w/w氯化鈉（NaCl）食品級、化學純或試劑級食品級≥99.8%過氧化氫（H2O2）化學純 30%過氧乙酸（CH3COOOH）化學純安全注意事項1、在配置清洗藥液時，必須穿戴好防護服、防護眼鏡和防護手套。2、需要清洗的設備管路必須是與其他連接設備的連接管路完全隔離的。3、需要清洗的設備其電源必須是完全切斷并有“正在操作，不得送電”的安全警示。4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過0.15MPa。清洗設備組件1、清洗循環泵（耐腐蝕泵）2、清洗水箱（PP）3、耐腐蝕清洗軟管（與清洗泵適配）4、耐腐蝕閥門（UPVC）5、耐腐蝕壓力表6、過濾器（≤1μm）工具：pH試紙（廣泛）；溫度計；計時表清洗方案清洗方案1濃水室結垢清洗1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進、出水閥開啟，關閉EDI淡水進水閥和產水閥。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。5、啟動清洗泵，調節濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、打開EDI進水閥和產水閥，同時對兩個水室進行沖洗。9、檢測濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。10、各個閥門，恢復原始各設計流量數據。11、恢復EDI各個管路與其他系統的連接。12、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。清洗方案2淡水室結垢清洗1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。清洗方案3有機物污堵清洗1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。清洗方案4有機物污堵和結垢1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。10、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。14、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。15、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。16、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。17、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。微生物污堵可采用方案3進行微生物污堵和結垢可餓采用方案4進行清洗放案5嚴重的微生物污堵1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。14、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。15、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。清洗方案6嚴重的微生物污堵和結垢1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。清洗方案7極嚴重的微生物污堵1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。15、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。18、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。清洗放案8極嚴重的微生物污堵和結垢1、記錄清洗前所有數據。2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。附表模塊型號循環清洗流量（m3/h）MX-500.2m3MX-1