CN116525708B 正面寬帶隙摻雜的聯(lián)合鈍化背接觸太陽電池及其制備方法 （福建金石能源有限公司）

US2018114871A1,2018.WO2022134991A1,2022.06正面寬帶隙摻雜的聯(lián)合鈍化背接觸太陽電涉及正面寬帶隙摻雜的聯(lián)合鈍化背接觸太陽電三摻雜多晶硅層為含第一摻雜元素和第二摻雜2第三摻雜多晶硅層中第二摻雜元素的有效摻雜濃度為1e19_4e21cm_3，第一摻雜元素的有所述第一半導體層上開設有第二半導體開口區(qū)，第二半一半導體層與硅片接觸的第一發(fā)射極區(qū)域，第二半導體層與硅片接觸的第二發(fā)射極區(qū)域，外依次設置第一半導體層和第二半導體層且第一半導體層透明導電膜，其設置在第一發(fā)射極區(qū)域、第二發(fā)射極區(qū)域7.一種聯(lián)合鈍化背接觸太陽電池的制備方電池為如權(quán)利要求1_6中任一項所述的正面寬帶隙摻雜的聯(lián)合鈍化背接觸太陽電池，且所3第一階段中通入包括笑氣的第一氣體，開啟輝S7、在S6所得硅片背面刻蝕開口，形成與第二半S9、在S8所得硅片背面的第二半導體開口區(qū)與第一S10、在S9所得硅片背面的第二半導體開口區(qū)與第一半導體開口區(qū)的表面分別形成金45層包含正面鈍化層及減反層，所述正面鈍化層包含本征非晶硅層及N型摻雜非晶或微晶硅此，本征非晶硅層與N型摻雜的非晶/微晶硅層一般采用板式PECVD鍍膜分別形成，板式[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的常規(guī)電池結(jié)構(gòu)存在的半導體層需要多次采6[0010]在本發(fā)明一些更優(yōu)選實施方式中，所述第三摻雜多晶硅層為摻碳的N型摻雜多晶[0011]在本發(fā)明一些優(yōu)選實施方式中，所述第一半導體層上開設有第[0014]在本發(fā)明一些優(yōu)選實施方式中，所述第一摻雜多晶硅層的有效摻雜濃度在1e19_背接觸太陽電池為第一方面所述的正面寬帶隙7積形成第二隧穿氧化層。優(yōu)選地，第一階段的反應溫度為400_450℃,反應壓力為100_8[0045]第一方面，其相比于常規(guī)異質(zhì)結(jié)電池中的先制備第一半導體層和第二半導體層、形成的摻雜多晶層采用LPCVD先沉積本征多晶層，之后經(jīng)過磷擴散形成摻雜多晶層，其中9之間；而摻碳或摻氧需要用到甲烷或二氧化碳等氣體，甲烷或二氧化碳分解溫度大于900℃,與現(xiàn)有技術(shù)的上述正背面同時形成第一半導體層和第三半導體層以及采用的LPCVD工清洗來去除硅片背面繞鍍，能夠避免由于正面制備寬帶隙的第三摻雜多晶硅層的管式[0054]圖4為本發(fā)明實施例1步驟S2硅片背面形成第一半導體層以及掩膜層的結(jié)構(gòu)示意[0071]所述第一半導體層包括由內(nèi)向外依次設置的第一隧穿氧化層和第一摻雜多晶硅半導體層包括由內(nèi)向外依次設置的第二隧穿氧化[0072]本發(fā)明所述第三摻雜多晶硅層為含第一摻雜元素和第二摻雜元素的摻雜多晶硅雜濃度為1e19_4e21cm_3，第一摻雜元素的有效摻雜濃度在1e19_9e20cm_3。該優(yōu)選方案雜濃度階梯變化實現(xiàn)，本領域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需求在本發(fā)明的基礎上進一步優(yōu)化。[0079]在本發(fā)明一些更優(yōu)選實施方式中，所述第三摻雜多晶硅層為摻碳的N型摻雜多晶[0080]在本發(fā)明一些優(yōu)選實施方式中，所述第一半導體層上開設有第[0083]在本發(fā)明一些優(yōu)選實施方式中，所述第一摻雜多晶硅層的有效摻雜濃度在1e19_背接觸太陽電池為第一方面所述的正面寬帶隙[0099]S5中，所述第三半導體層是通過管式PECVD原位摻雜沉積后退火形成，或者通過[0100]在本發(fā)明一些實施方式中，所述通過管式PECVD原位摻雜沉積后退火形成第三半第一摻雜元素氣源和第二摻雜元素氣源的氣體或者通入含第一摻雜元素氣源而不含第二摻雜元素氣源的氣體，優(yōu)選前者即通入含第一摻雜元素氣源和第二摻雜元素氣源的氣體，[0107]在上述第二階段的沉積完成后進行退火，進一步優(yōu)選地，退火壓力為2000mtorr領域技術(shù)人員可以根據(jù)所需形成的第三半導體層來選擇LPCVD沉積后摻雜第一摻雜元素和[0109]本發(fā)明S2中所述第一半導體層和掩膜層的形成方法可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的任意[0110]本發(fā)明所述采用濕法或干法方式形成第一隧穿氧化層，其中濕法包含臭氧氧化[0125]一種正面寬帶隙摻雜的聯(lián)合鈍化背接觸太陽電池，其通過如圖2所示的下述步驟包含第一隧穿氧化層11與背面N型摻雜多晶硅層12。所述第一隧穿氧化層11采用干法方式用PECVD沉積形成。所述第一隧穿氧化層11厚度為1.7nm，背面N型摻雜多N型摻雜多晶硅層12及第一隧穿氧化層11，同時在硅片正面及背面的第二半導體開口區(qū)Wp為850℃,退火時間為20min，退火后碳的有效摻雜濃度為2e20cm_3，磷的有效摻雜濃度在[0135]S10、采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，在硅片10背面第一半導體開口區(qū)Wn表面形成金屬電極