GBT 47917-2026《300mm硅外延片》標(biāo)準(zhǔn)

GB/T47917-2026《300mm硅外延片》1范圍本文件規(guī)定了直徑300mm硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于在直徑300mm硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的硅外延片。產(chǎn)品用于制作線寬14nm及以上集成電路和分立器件。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測(cè)定直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)℅B/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1558硅中代位碳含量的紅外吸收測(cè)試方法GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T6616半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層電阻的測(cè)試非接觸渦流法GB/T6617硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針?lè)℅B/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法硅片徑向電阻率變化測(cè)量方法摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探針?lè)ü柰庋訉泳w完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法硅外延層載流子濃度的測(cè)試電容-電壓法半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的測(cè)試紅外反射法硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法GB/T25915.1—2021潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)GB/T26068硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法GB/T29506300mm硅單晶拋光片GB/T38976硅材料中氧含量的測(cè)試惰性氣體熔融紅外法GB/T39145硅片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法2GB/T43894(所有部分)半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià)GB/T47906300mm硅片表面納米形貌的評(píng)價(jià)方法YS/T679非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試表面光電壓法3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T14264界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。4產(chǎn)品分類4.1300mm硅外延片(以下簡(jiǎn)稱“硅外延片”)按應(yīng)用領(lǐng)域分為集成電路用硅外延片和分立器件用硅外延片。4.2硅外延片按導(dǎo)電類型分為n型和p型。4.3硅外延片按襯底晶向主要分為<100>、<110>和<111〉。5技術(shù)要求5.1襯底5.1.1集成電路用硅外延片用襯底應(yīng)符合表1的規(guī)定。表1集成電路用硅外延片用襯底圖像傳感器以上晶向?qū)щ婎愋蚿型(摻硼)p型(摻硼)p型(摻硼)p型(摻硼)p型(摻硼)p型(摻硼)電阻率一5.1.2分立器件用硅外延片用襯底應(yīng)符合表2的規(guī)定。3表2分立器件用硅外延片用襯底晶向?qū)щ婎愋蚽型(摻磷、砷、銻)p型(摻硼)電阻率5.1.3襯底表面質(zhì)量和切口位置應(yīng)符合GB/T29506的要求，需方對(duì)襯底參數(shù)有其他要求的，由供需雙方協(xié)商確定，并在訂貨單中注明。5.2外延層5.2.1電阻率及徑向電阻率變化硅外延片的外延層電阻率及徑向電阻率變化應(yīng)符合表3的規(guī)定。表3外延層電阻率及徑向電阻率變化圖像線寬65nm導(dǎo)電類型硼硼硼硼硼硼硼電阻率允許偏差5.2.2厚度及徑向厚度變化硅外延片的外延層厚度及徑向厚度變化應(yīng)符合表4的規(guī)定。4表4外延層厚度及徑向厚度變化圖像外延層厚度厚度允許偏差5.2.3縱向電阻率分布及過(guò)渡區(qū)寬度5.2.3.1硅外延片的外延層縱向電阻率分布由供需雙方協(xié)商確定。5.2.3.2硅外延片的外延層過(guò)渡區(qū)寬度應(yīng)小于外延層厚度的15%,或由供需雙方協(xié)商確定。5.2.4晶體完整性集成電路用硅外延片的外延層位錯(cuò)密度和層錯(cuò)密度均應(yīng)為零，分立器件用硅外延片的外延層位錯(cuò)密度和層錯(cuò)密度不應(yīng)大于5個(gè)/片。5.3外延片5.3.1幾何參數(shù)硅外延片幾何參數(shù)應(yīng)符合表5的規(guī)定。表5幾何參數(shù)圖像總厚度變化(GBIR)總平整度(GFLR)一一一一一一彎曲度(BOW)翹曲度(WARP)5表5幾何參數(shù)(續(xù))圖像一納米形貌(NT)納米形貌(NT)近邊緣曲率(ZDD)一一局部平整度為26mm×8mm范圍內(nèi)百分之百可用區(qū)域。邊緣局部平整度指72扇區(qū)、徑向長(zhǎng)度15mm的區(qū)5.3.2表面金屬硅外延片的表面金屬應(yīng)符合表6的規(guī)定。表6表面金屬應(yīng)用電路包含但不限于鈉、鎂、鋁、鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、圖像傳感器5.3.3體金屬硅外延片的體金屬應(yīng)符合表7的規(guī)定。6表7體金屬圖像傳感器一一一一一一5.3.4體微缺陷硅外延片的體微缺陷應(yīng)符合表8的規(guī)定。表8體微缺陷圖像傳感器個(gè)/cm35.3.5載流子壽命硅外延片的載流子壽命應(yīng)符合表9的規(guī)定。圖像傳感器75.3.6表面質(zhì)量5.3.6.1正表面質(zhì)量硅外延片的正表面應(yīng)無(wú)沾污、無(wú)凸起物、無(wú)凹坑、無(wú)劃傷、無(wú)破損、無(wú)滑移線、無(wú)霧、無(wú)桔皮、無(wú)波紋、無(wú)裂紋、無(wú)鴉爪等缺陷，冠狀邊緣高度不應(yīng)大于1/3的外延層厚度。5.3.6.2背表面質(zhì)量硅外延片的背表面應(yīng)無(wú)沾污、無(wú)凸起物、無(wú)劃傷、無(wú)破損等缺陷。5.3.7邊緣硅外延片邊緣應(yīng)光滑、無(wú)破損。5.3.8正表面顆粒硅外延片的正表面顆粒應(yīng)符合表10的規(guī)定。圖像個(gè)/片一一個(gè)/片00一一一一一個(gè)/片一一一一一個(gè)/片一一個(gè)/片一一一一一個(gè)/片個(gè)/片個(gè)/片一個(gè)/片一一8表10正表面顆粒(續(xù))圖像線寬14nm個(gè)/片一一一一個(gè)/片一一一一一個(gè)/片一一一一一5.4其他如需方對(duì)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)有特殊要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。6試驗(yàn)方法6.1硅外延片的襯底晶向的測(cè)試按GB/T1555的規(guī)定進(jìn)行。6.2硅外延片的襯底導(dǎo)電類型的測(cè)試按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。6.3硅外延片的襯底電阻率的測(cè)試按GB/T1551或GB/T6616的規(guī)定進(jìn)行，仲裁時(shí)按GB/T1551的規(guī)定進(jìn)行。6.4硅外延片的襯底徑向電阻率變化的測(cè)試按GB/T11073的規(guī)定進(jìn)行。6.5硅外延片的襯底氧含量的測(cè)試按GB/T1557或GB/T38976的規(guī)定進(jìn)行，仲裁時(shí)按GB/T1557的規(guī)定進(jìn)行。6.6硅外延片的襯底徑向氧含量的測(cè)試按GB/T14144的規(guī)定進(jìn)行。6.7硅外延片的襯底碳含量的測(cè)試按GB/T1558的規(guī)定進(jìn)行。6.8硅外延片的外延層電阻率的測(cè)試先按GB/T14146的規(guī)定測(cè)試載流子濃度后，再按GB/T13389的規(guī)定換算，獲得電阻率；或按GB/T14141的規(guī)定進(jìn)行，其他測(cè)試方法可由供需雙方協(xié)商確定。仲裁時(shí)按GB/T14146的規(guī)定進(jìn)行。硅外延片的外延層電阻率為所有測(cè)試點(diǎn)的電阻率平均值，按公式(1)進(jìn)行計(jì)算：式中：R——硅外延片的外延層電阻率，單位為歐姆厘米(Ω·cm);R;——硅外延片上第i個(gè)測(cè)試點(diǎn)的外延層電阻率測(cè)試值，單位為歐姆厘米(Ω·cm);n——硅外延片上的測(cè)試點(diǎn)數(shù)目。硅外延片的外延層電阻率的測(cè)試點(diǎn)分布如圖1、圖2所示。如需方對(duì)測(cè)試點(diǎn)有特殊要求，也可由供需雙方協(xié)商確定。96.9硅外延片的外延層電阻率允許偏差按公式(2)進(jìn)行計(jì)算：式中：△R——硅外延片的外延層電阻率允許偏差；R—硅外延片的外延層電阻率，單位為歐姆厘米(Ω·cm);R,——硅外延片的外延層電阻率目標(biāo)值，單位為歐姆厘米(Ω·cm)。6.10硅外延片的外延層徑向電阻率變化按公式(3)計(jì)算：式中：RV—-硅外延片的外延層徑向電阻率變化；Pmx——硅外延片的中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點(diǎn)位置處電阻率測(cè)量值的最大值，或中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑以及在平行于和垂直于和交叉于距周邊5mm±1mm的13點(diǎn)位置處電阻率測(cè)量值的最大值，9點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖1所示，13點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖2所Pmin——-硅外延片的中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點(diǎn)位置處電阻率測(cè)量值的最小值，或中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑以及在平行于和垂直于和交叉于距周邊5mm±1mm的13點(diǎn)位置處電阻率測(cè)量值的最小值，9點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖1所示，13點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖2所硅外延片的外延層電阻率允許偏差取值方式、徑向電阻率變化的取點(diǎn)方法可由供需雙方商定并在訂貨單中注明。6.11硅外延片的外延層厚度測(cè)試按GB/T14847的規(guī)定進(jìn)行。硅外延片的外延層厚度為所有測(cè)試點(diǎn)的厚度平均值，按公式(4)進(jìn)行計(jì)算：T—硅外延片的外延層厚度，單位為微米(μm);T;——硅外延片上第i個(gè)測(cè)試點(diǎn)的外延層厚度測(cè)試值，單位為微米(μm);n——硅外延片上的測(cè)試點(diǎn)數(shù)目。硅外延片的外延層厚度的測(cè)試點(diǎn)分布如圖1、圖2所示。如需方對(duì)測(cè)試點(diǎn)有特殊要求，也可由供需雙方協(xié)商確定。6.12硅外延片的外延層厚度允許偏差按公式(5)進(jìn)行計(jì)算：式中：△r——硅外延片的外延層厚度允許偏差；T硅外延片的外延層厚度，單位為微米(μm);T.——硅外延片的外延層厚度目標(biāo)值，單位為微米(μm)。6.13硅外延片的外延層徑向厚度變化按公式(6)計(jì)算：式中：TV——硅外延片的外延層徑向厚度變化；Tmax——硅外延片的中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑、距周邊6mm±1mm的9點(diǎn)位置處的厚度測(cè)量值的最大值，或中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑以及在平行于和垂直于和交叉于距周邊5mm±1mm的13點(diǎn)位置處的厚度測(cè)量值的最大值，9點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖1所示，13點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖2所Tm.n——硅外延片的中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑、距周邊6mm±1mm的9點(diǎn)位置處的厚度測(cè)量值的最小值，或中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上1/2半徑以及在平行于和垂直于和交叉于距周邊5mm±1mm的13點(diǎn)位置處的厚度測(cè)量值的最小值，9點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖1所示，13點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位如圖2所硅外延片的外延層厚度允許偏差取值方式、徑向厚度變化的取點(diǎn)方法可由供需雙方商定并在訂貨單中注明。圖19點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位示意圖圖213點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)位示意圖6.14硅外延片的外延層縱向擴(kuò)展電阻率分布的測(cè)試按GB/T6617的規(guī)定進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商確定。硅外延片的外延層過(guò)渡區(qū)寬度按公式(7)計(jì)算：W=W?-W?式中：W——硅外延片的外延層過(guò)渡區(qū)寬度，單位為微米(μm);W?—-硅外延片的外延層過(guò)渡區(qū)結(jié)束時(shí)厚度，單位為微米(μm);W?——硅外延片的外延層過(guò)渡區(qū)開(kāi)始時(shí)厚度，單位為微米(μm)。6.15硅外延片的外延層晶體完整性的測(cè)試按GB/T14142的規(guī)定進(jìn)行。6.16硅外延片幾何參數(shù)的測(cè)試按GB/T43894(所有部分)和GB/T47906的規(guī)定進(jìn)行。6.17硅外延片表面金屬元素含量的測(cè)定按GB/T39145的規(guī)定進(jìn)行。6.18硅外延片體鐵含量的測(cè)試按YS/T679的規(guī)定進(jìn)行。6.19硅外延片體銅、體鎳含量的測(cè)試按附錄A的規(guī)定進(jìn)行。6.20硅外延片體微缺陷的測(cè)試按附錄B的規(guī)定進(jìn)行。6.21硅外延片載流子壽命的測(cè)試按GB/T26068的規(guī)定進(jìn)行。6.22硅外延片表面質(zhì)量(除顆粒外)的測(cè)試按GB/T6624的規(guī)定進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商確定。6.23硅外延片正表面顆粒的測(cè)試按GB/T19921的規(guī)定進(jìn)行。7檢驗(yàn)規(guī)則7.1檢查和驗(yàn)收7.1.1每批產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)質(zhì)量監(jiān)督部門(mén)進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單規(guī)定，并填寫(xiě)隨行文件。7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。如檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)，以書(shū)面形式向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一牌號(hào)、同一導(dǎo)電類型、同一晶向、相同電阻率和厚度范圍的硅外延片組成。7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目7.3.1每批產(chǎn)品應(yīng)對(duì)外延層電阻率、外延層徑向電阻率變化、外延層厚度、外延層徑向厚度變化、外延層晶體完整性、幾何參數(shù)、表面金屬、表面質(zhì)量、邊緣、正表面顆粒進(jìn)行檢驗(yàn)。7.3.2每批產(chǎn)品的外延層縱向電阻率分布及過(guò)渡區(qū)寬度是否檢驗(yàn)由供需雙方協(xié)商確定。7.3.3每批產(chǎn)品是否需要對(duì)體金屬、體微缺陷、載流子壽命進(jìn)行檢驗(yàn)由供需雙方協(xié)商確定。7.4.1每批產(chǎn)品非破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目的取樣按GB/T2828.1—2012中一般檢驗(yàn)水平Ⅱ、正常檢驗(yàn)一次抽樣方案進(jìn)行，也可按供需雙方協(xié)商的抽樣方案進(jìn)行。7.4.2每批產(chǎn)品破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目的取樣按GB/T2828.1—2012中特殊檢驗(yàn)水平S-2、正常檢驗(yàn)一次抽樣方案進(jìn)行，也可按照供需雙方協(xié)商的抽樣方案進(jìn)行。7.4.3每批產(chǎn)品的外延層縱向電阻率分布及過(guò)渡區(qū)寬度的取樣由供需雙方協(xié)商確定。7.4.4體金屬、體微缺陷、載流子壽命的取樣由供需雙方協(xié)商確定。7.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定7.5.1襯底片的各類參數(shù)要求由供方保證，如需方抽檢有任一片不合格，則判該批產(chǎn)品不合格。7.5.2硅外延片縱向電阻率分布及過(guò)渡區(qū)寬度檢驗(yàn)結(jié)果的判定由供需雙方協(xié)商確定。7.5.3其他檢驗(yàn)項(xiàng)目的接收質(zhì)量限(AQL)應(yīng)符合表11的規(guī)定。表11檢測(cè)項(xiàng)目及接收質(zhì)量限檢驗(yàn)項(xiàng)目晶體完整性8.1標(biāo)志和包裝a)需方名稱；b)供方名稱；c)產(chǎn)品名稱或牌號(hào)；d)產(chǎn)品數(shù)量；e)產(chǎn)品尺寸。8.1.2包裝箱側(cè)面、片盒錫紙上和片盒上蓋正面應(yīng)貼有包含廠家、硅外延片型號(hào)、生產(chǎn)批號(hào)、生產(chǎn)日期、晶向、摻雜劑、電阻率、厚度、直徑、片數(shù)等信息的標(biāo)簽，片盒上標(biāo)簽粘貼位置由供需雙方協(xié)商確定。8.1.3片盒側(cè)面由供需雙方協(xié)商確定是否需貼有包含每片硅外延片激光打標(biāo)編碼的標(biāo)簽。8.2運(yùn)輸和貯存8.2.1產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)輕裝輕卸，勿擠壓，并采取防震措施。8.2.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在潔凈、干燥、無(wú)腐蝕的環(huán)境中。8.3隨行文件每批產(chǎn)品應(yīng)附隨行文件，其上注明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱和產(chǎn)品規(guī)格；c)硅外延片型號(hào)；d)生產(chǎn)批號(hào)；e)產(chǎn)品數(shù)量；f)晶向；g)摻雜劑；h)電阻率；j)直徑；k)襯底生產(chǎn)廠家及主要技術(shù)參數(shù)；1)各項(xiàng)檢驗(yàn)結(jié)果及檢驗(yàn)部門(mén)印記；m)檢驗(yàn)和審核人員的簽字；n)生產(chǎn)日期；o)本文件編號(hào)。需方對(duì)產(chǎn)品的標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件等有其他要求，可由供需雙方協(xié)商確定。9訂貨單內(nèi)容需方可根據(jù)自身的需要，在訂購(gòu)本文件所列產(chǎn)品的訂貨單內(nèi)，列出以下內(nèi)容：a)產(chǎn)品名稱；b)產(chǎn)品規(guī)格；c)產(chǎn)品數(shù)量；d)本文件編號(hào)；e)其他。(規(guī)范性)硅外延片體銅、體鎳含量的測(cè)試——外擴(kuò)散法A.1原理硅外延片中的銅、鎳金屬雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)較高，受熱從體內(nèi)向表面遷移，并在表面形成富集或析出特定相，通過(guò)化學(xué)氣相分解液溶解表面污染物，經(jīng)分析獲得硅外延片中的銅、鎳金屬元素含量。A.2試驗(yàn)條件A.2.1溫度：20℃~24℃。A.2.2相對(duì)濕度：45%～60%。A.2.3空氣潔凈度：不低于GB/T25915.1—2021中規(guī)定的ISO5級(jí)。A.3試劑和材料A.3.1去離子水：金屬含量小于5ng/L。A.3.2過(guò)氧化氫(H?O?):濃度31%～35%,金屬含量小于10ng/L。A.3.3氟化氫(HF):濃度38%～49%,金屬含量小于10ng/L。A.4儀器設(shè)備A.4.1退火爐或加熱裝置。A.4.2硅片表面處理系統(tǒng)(WSPS/VPD)。A.4.3電感耦合等離子體質(zhì)譜儀。A.5試驗(yàn)步驟A.5.1樣品制備將硅外延片送入退火爐進(jìn)行熱處理，設(shè)置熱處理程序?yàn)榈獨(dú)猸h(huán)境，溫度650℃,保持3min。熱處理氣氛還可使用氬氣或空氣，處理溫度范圍200℃~1000℃,或處理?xiàng)l件供需雙方協(xié)商確定。A.5.2表面金屬分析按照GB/T39145的規(guī)定進(jìn)行。A.6試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理待測(cè)金屬元素的含量按公式(A.1)進(jìn)行計(jì)算：式中：N;——待測(cè)金屬元素的含量，單位為原子數(shù)每平方厘米(atoms/cm2);p——分析試液中待測(cè)金屬元素的質(zhì)量濃度，單位為克每毫升(g/mL);v——分析試液的體積，單位為毫升(mL);M——待測(cè)元素摩爾質(zhì)量，單位為克每摩爾(g/mol);NA——阿伏伽德羅常數(shù)，單位為每摩爾(mol-1);S——硅外延片表面的測(cè)試面積，單位為平方厘米(cm2)。A.7試驗(yàn)報(bào)告試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括但不限于以下內(nèi)容：a)樣品信息，包括晶片編號(hào)；b)銅、鎳金屬元素含量；c)測(cè)試人員；d)測(cè)試日期；e)本文件編號(hào)。(規(guī)范性)硅外延片體微缺陷的測(cè)試——紅外激光散射法利用氧化誘發(fā)硅外延片中固有的間隙氧形成氧沉淀及相關(guān)缺陷，基于光散射成像原理，聚焦的紅外激光束照射到切口邊緣附近的缺陷發(fā)生散射，垂直散射光通過(guò)高數(shù)值孔徑物鏡收集，通過(guò)探測(cè)散射信號(hào)的位置和強(qiáng)度，表征體微缺陷的尺寸和密度。B.2試驗(yàn)條件B.2.1溫度：20℃~24℃。B.2.2相對(duì)濕度：45%～60%。B.2.3空氣潔凈度：不低于GB/T25915.1—2021中規(guī)定的ISO6級(jí)。B.3儀