CN119064668B 多通道vcsel芯片的單通道功率測試方法及其系統 （浙江老鷹半導體技術有限公司）

號多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法及本申請涉及一種多通道VCSEL芯片的單通道信號，以使驅動信號驅動待測多通道VCSEL芯片通道VCSEL芯片的全通道總功率和近場圖像；根據近場圖像獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道灰度值占比獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道像處理結合的方式獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道功率，避免對多通道VCSEL芯片進行重復2提供一驅動信號；所述驅動信號用于驅動待測多通道VCSEL芯片的全通道處于點亮狀獲取點亮狀態下的所述待測多通道VCSEL芯片的全通根據所述全通道總功率和所述單通道灰度值占比獲取所述待測多通道VCSEL芯片的單根據所述全通道灰度值和所述單通道灰度值獲取所述單通2.根據權利要求1所述的多通道VCSEL芯片;3.根據權利要求1所述的多通道VCSEL芯獲取點亮狀態下的所述待測多通道VCSEL芯根據所述單通道功率和所述占空比獲取所述待測多通道VCSEL芯片的單通道峰值功4.根據權利要求3所述的多通道VCSEL芯片的單通道功獲取點亮狀態下的所述待測多通道VCSEL芯片對應的光脈沖寬度和所述驅動信號的調5.根據權利要求4所述的多通道VCSEL芯;6.根據權利要求3所述的多通道VCSEL芯片的單;其中，Ppeak為所述單通道峰值功率；Pavg_channe7.根據權利要求3所述的多通道VCSEL芯3獲取點亮狀態下的所述待測多通道VCSEL芯8.根據權利要求1至7任一項所述的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法，其特征重復多次如權利要求1至7任一項所述的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法，以將多次獲取的所述單通道功率的平均值作為最終驅動裝置，與待測多通道VCSEL芯片連接，用于提供驅動信號以驅動待利要求1至8任一項所述的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法中的根據所述全通道總功率和所述單通道灰度值占比獲取所述待測多通道VCSEL芯片的單通道功率；所述單通道功率為所述待測多通道VCSEL芯片中每一態下的所述待測多通道VCSEL芯片對應的調4[0002]在多通道VCSEL芯片測試技術領域中，測試多通道VCSEL芯片中每一通道的功率[0005]提供一驅動信號；所述驅動信號用于驅動待測多通道VCSEL芯片的全通道處于點[0008]根據所述全通道總功率和所述單通道灰度值占比獲取所述待測多通道VCSEL芯片[0009]在其中一個實施例中，所述根據所述近場圖像獲取所述待測多通道VCSEL芯片的[0011]根據所述灰度圖像獲取所述待測多通道VCSEL芯片的全通道灰度值和單通道灰度[0014]pavg_channel=pavg_chipxGrayRate；[0015]其中，Pavg_channel為所述單通道功率，Pavg_chip為所述全通道總功率，[0018]根據所述單通道功率和所述占空比獲取所述待測多通道VCSEL芯片的單通道峰值[0019]在其中一個實施例中，所述獲取點亮狀態下的所述待測多通道VCSEL芯片對應的5[0020]獲取點亮狀態下的所述待測多通道VCSEL芯片對應的光脈沖寬度和所述驅動信號[0029]重復多次如上述的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法，以將多次獲取的所[0031]驅動裝置，與待測多通道VCSEL芯片連接，用于提供驅動信號以驅動待測多通道如上述的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法中的根據所述全通道總功率和所述單通道灰度值占比獲取所述待測多通道VCSEL芯通道VCSEL芯片的單通道功率，避免對多通道VCSEL芯片進行重復測試獲取單個通道的功率和單通道灰度值占比能夠確保獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道功率的準確性，避免6[0039]圖1為一個實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法的流程示意圖之[0040]圖2為一個實施例中的根據近場圖像獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道灰度值[0041]圖3為一個實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法的流程示意圖之[0042]圖4為一個實施例中的獲取點亮狀態下的待測多通道VCSEL芯片對應的占空比的[0043]圖5為一個實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法的流程示意圖之對于優化VCSEL組件產品設計和提高產品質量具通道VCSEL芯片中的“通道”指的是VCSEL芯片內部獨立控制和操作的垂直腔面發射激光器通道還可包括5個發光孔或8個發光孔或56個發光孔等等，本申請對此不做進一步限定。而本申請中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法無需單獨對每個通道中的VCSEL單元進行檢測即可準確獲取多通道VCSEL芯片中每一單通道功率。也即本申請中的“單通道功7[0049]如圖1所示，附圖1示出了本實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法有獨立VCSEL通道/單元在同時工作時輸出的光功率之和。待測多通道VCSEL芯片的全通道總功率能夠反映該待測多通道VCSEL芯片在滿負荷工作狀態下測多通道VCSEL芯片的近場圖像可以通過近場掃描裝置或者其他近像處理工具對近場圖像進行圖像分析，即可快速準確地獲取待測多通道VCSEL芯片中各單[0060]通過獲取待測多通道VCSEL芯片中各單通道在近場圖像中的灰度值占比，能夠側面獲取待測多通道VCSEL芯片中各單通道單獨工作時輸出的激光脈沖的輸出功率情況。其中灰度值占比可以理解為待測多通道VCSEL芯片中單個通道的灰度值在待測多通道VCSEL8通道灰度值占比能夠確保獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道功率的準確性，避免在對多片的單通道灰度值占比包括以下步驟S201[0068]步驟S202，根據灰度圖像獲取待測多通道VCSEL芯片的全通道灰度值和單通道灰度值進行求和即可獲取待測多通道VCSEL芯片的全度值指的是待測多通道VCSEL芯片中全部通道的灰待測多通道VCSEL芯片中全部通道的全片中各單通道灰度值即可分別獲取待測多通道VCSEL芯片中每一單通道灰度值占比，基于9[0077]pavg_channel=pavg_chipxGrayRate；閱附圖3，附圖3示出了本實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法的流程示意圖之二，本實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法還包括以下步驟S301至步取，如點亮狀態下的待測多通道VCSEL芯片輸出的光信號的脈沖寬度和驅動信號的調制周[0083]步驟S302，根據單通道功率和占空比獲取待測多通道VCSEL芯片的單通道峰值功[0086]可以理解的是，本實施例中雖然僅例舉了待測多通道VCSEL芯片中一個單通道峰通道VCSEL芯片對應的占空比的流程示意圖。本實施例中，獲取點亮狀態下的待測多通道VCSEL芯片對應的占空比包括以下步驟S401至步驟S[0088]步驟S401，獲取點亮狀態下的待測多通道VCSEL芯片對應的光脈沖寬度和驅動信[0092]由于待測多通道VCSEL芯片在驅動信號的驅動下發射激光脈沖，因此驅動信號的[0099]在一個實施例中，重復多次如上述任一實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功[0101]其中，重復多次測試的待測多通道VCSEL芯片可以是同一待測道功率測試方法的流程示意圖之三，本實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方[0104]步驟S501，通過驅動裝置采用納秒級別的驅動方式向待測多通道VCSEL芯片輸出[0105]步驟S502，獲取功率計或者積分球測量的待測多通道VCSEL芯片中全通道同時處[0106]步驟S503，獲取高速光電探測器測量的待測多通道VCSEL芯片中全通道同時處于[0108]步驟S505，對近場圖像進行圖像處理以分別獲取待測多通道VCSEL芯片對應的單[0110]步驟S507，根據全通道總功率和單通道灰度值占比獲取待測多通道VCSEL芯片的[0112]步驟S509，根據占空比和單通道功率獲取待測多通道VCSEL芯片中各單通道峰值620和圖像獲取裝置630連接，用于執行上述任一實施例中的多通道VCSEL芯片的單通道功率測試方法中的根據全通道總功率和單通道灰度值占比獲取待測多通道VCSEL芯片的單通多通道VCSEL芯片中的各單通道進行全驅動點亮。意味著對應的驅動信號的脈沖寬度在納證待測多通道VCSEL芯片熱效應不會過大，使得待測多通道VCSEL芯片的所有通道同時工根據測量到的全通道總功率和圖像獲取裝置630直接獲取待測多通道VCSEL芯片在點亮狀640根據全通道總功率和根據近場圖像獲取到的單通道灰度值占比即可獲取單通道功率，測點亮狀態下的待測多通道VCSEL芯片對應的的待測多通道VCSEL芯片近場圖像。該近場圖像能反映待測多通道VCSEL芯片待測多通道個多通道VCSEL芯片的單通道功率測試裝置實施例中的具體限定可以參見上文中對于多通器用于提供計算和控制能力。該計算機設備的存儲器包括非易失性存儲介質和內存儲器。操作系統和計算機程序的運行提供環境。該計算機設備的輸入/輸出接口用于處理器與外其他技術實現。該計算機