GB/T 11094-2020水平法砷化鎵單晶及切割片

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11094—2020

代替

GB/T11094—2007

水平法砷化鎵單晶及切割片

Galliumarsenidesinglecrystalandcuttingwafergrownbyhorizontal

bridgmanmethod

2020-09-29發(fā)布2021-08-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11094—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替水平法砷化鎵單晶及切割片與相比除編

GB/T11094—2007《》。GB/T11094—2007,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

刪除了范圍中的單晶錠及微波器件見年版的第章

———(20071);

刪除了規(guī)范性引用文件中的增加了見第章年

———GJB1927,GB/T13388、GB/T14844(2,2007

版的第章

2);

刪除了術(shù)語和定義中的見年版的第章

———3.1~3.8(20073);

修改了產(chǎn)品的牌號(hào)表示方法及分類見第章年版的第章

———(4,20074);

修改了砷化鎵單晶生長方向中的偏轉(zhuǎn)角度見年版的

———(5.1.1,20074.3.1);

刪除了半絕緣砷化鎵單晶的要求及試驗(yàn)方法見年版的

———(20074.3.2、4.4.3、5.1);

刪除型非摻雜砷化鎵單晶的要求見年版的

———n(20074.3.2);

修改了型摻鋅砷化鎵單晶的載流子濃度范圍見年版的

———p(5.1.2,20074.3.2);

修改了位錯(cuò)密度的分級(jí)及要求見年版的

———(5.1.3,20074.3.3);

增加了直徑砷化鎵切割片及對(duì)應(yīng)砷化鎵單晶的要求見

———82.0mm(5.1.4.2、5.2);

晶錠高度誤差不大于改為單晶厚度變化應(yīng)不大于見年版的

———4mm2mm(5.1.4.2,20074.4.1);

增加了關(guān)于砷化鎵切割片電學(xué)性能位錯(cuò)密度的說明見

———、(5.2.1);

修改了砷化鎵切割片厚度的要求見年版的

———(5.2.3,20074.5.1);

修改了砷化鎵切割片晶向偏離的要求見年版的

———(5.2.4,20074.5.2);

修改了砷化鎵單晶及切割片的試驗(yàn)方法見第章年版的第章

———(6,20075);

修改了砷化鎵單晶及切割片的檢驗(yàn)規(guī)則相關(guān)內(nèi)容見第章年版的第章

———(7,20076)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研光電新材料有限責(zé)任公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股

:、、

份有限公司北京聚睿眾邦科技有限公司雅波拓福建新材料有限公司

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人于洪國林泉馬英俊趙敬平李素青馬遠(yuǎn)飛李萬朋許所成權(quán)盼朱劉

:、、、、、、、、、、

周鐵軍閆方亮楊麗霞付萍

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11094—1989、GB/T11094—2007。

Ⅰ

GB/T11094—2020

水平法砷化鎵單晶及切割片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了水平法砷化鎵單晶以下簡稱砷化鎵單晶及切割片的牌號(hào)及分類要求試驗(yàn)方法

()、、、

檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于光電器件傳感元件等用的砷化鎵單晶及切割片

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測量方法

GB/T8760

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測量方法

GB/T13388X

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號(hào)及分類

41牌號(hào)

.

砷化鎵單晶及切割片的牌號(hào)按照的規(guī)定進(jìn)行表示如有特殊要求由供需雙方協(xié)商

GB/T14844