標準解讀

GB/T 17574.20-2006 是一項中國國家標準，專注于半導體器件中的集成電路領域，特別是針對數字集成電路中低壓集成電路族的規范。該標準詳細規定了此類集成電路的設計、制造、性能評估及測試方法等方面的要求，旨在確保產品的質量和兼容性，促進國內集成電路產業的技術進步和標準化進程。

標準內容概覽：

  1. 范圍：明確了本部分標準的應用范圍，即適用于低壓數字集成電路，規定了這些器件的基本特性和測試條件。

  2. 規范性引用文件：列出了執行本標準時需要參考的其他相關國家標準或國際標準文檔，這些文檔為理解與實施標準提供了必要的背景信息和技術細節。

  3. 術語和定義：對標準中使用的專業術語進行界定，幫助讀者準確理解各項條款的具體含義。

  4. 分類與命名：介紹了低壓集成電路的分類原則和命名規則，便于識別和區分不同類型的集成電路產品。

  5. 要求：詳細闡述了低壓集成電路在電氣特性、機械特性、環境適應性等方面應滿足的具體技術要求。包括但不限于輸入輸出電壓/電流特性、工作溫度范圍、功耗限制、噪聲容限等。

  6. 測試方法：規定了驗證集成電路是否符合上述要求的測試程序、測試設備、測試環境和具體操作步驟，確保測試結果的準確性和可重復性。

  7. 標志、包裝、運輸和儲存：說明了產品標識、包裝要求以及在運輸和儲存過程中的保護措施，以防止損害并保持產品性能穩定。

  8. 質量評定程序：概述了產品質量控制和評估的流程，包括抽樣檢驗、合格判定準則等，確保出廠產品的質量符合標準要求。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2006-12-05 頒布
  • 2007-05-01 實施
?正版授權
GB/T 17574.20-2006半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范_第1頁
GB/T 17574.20-2006半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范_第2頁
GB/T 17574.20-2006半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范_第3頁
GB/T 17574.20-2006半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范_第4頁
免費預覽已結束，剩余4頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 17574.20-2006半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T17574.20—2006/IEC60748-2-20：2000半導體器件集成電路第2-20部分;數字集成電路低壓集成電路族規范Semiconductordeyices-Integratedcircuits-Part2-20:Digitalintegratedcircuits-Familyspecification-Lowvoltageintegratedcircuits（IEC60748-2-20:2000,IDT)2006-12-05發布2007-05-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布中國國家標準化管理委員會

GB/T17574.20—2006/IEC60748-2-20:2000國家標準《半導體器件集成電路》中的數字集成電路部分分為如下幾部分：GB/T17574—1998《半導體器件集成電路：第2部分：數字集成電路》（idtIEC60748-2:1985）-GB/T5965—2000《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第一篇行雙極型單片數字集成電路門電路(不包括自由邏輯陣列)空白詳細規范》idtIEC60748-2-1:1991）-GB/T17023—1997《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第二篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族規范》idtIEC60748-2-2：1992）——GB/T17024—1997《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第三篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白詳細規范》idtIEC60748-2-3：1992）-GB/T17572—1998《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第四篇CMOS數字集成電路4000B和4000UB系列族規范》idtIEC60748-2-4:1992)-GB/T9424—1998《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第五篇CMOS數寧集成電路4000B和4000UB系列空白詳細規范》idtIEC60748-2-5：1992）GB/T7509—1987《半導體集成電路微處理器空白詳細規范》（可供認證用)GB/T14119—1993《半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范》（可供認證用)GGB/T6648—1986《半導體集成電路靜態讀/寫存儲器空白詳細規范》（可供認證用）-GB/T17574.9—2006《半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范》IEC60748-2-9:1994.IDT)-GB/T17574.10—2003《半導體器件集成電路第2-10部分：數字集成電路集成電路動態讀/寫存儲器集成電路空白詳細規范》(IEC60748-2-10:1994.IDT)-GB/T17574.11-—2006《半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范》(IEC60748-2-11:1999.IDT)——GB/T17574.12《半導體器件集成電路第2-12部分：數字集成電路可編程器件（PLDs）空白詳細規范》IEC60748-2-12）（待轉化）各第2-20部分：數字集成電路-GB/T17574.20-2006《半導體器件集成電路低壓集成電路族規范》IEC60748-2-20:2000,IDT)本規范等同采用國際電工委員會標準IEC60748-2-20:2000《半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范》（英文版)。本規范按照（B/T1.1的要求編制國家標準,只對IEC原文作編輯性修改：刪除IEC原文中的前育。本規范由中華人民共和國信息產業部提出本規范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本規范起草單位：中國電子技術標準化研究所(CESI)本規范主要起草人：李餛。

GB/T17574.20-2006/IEC60748-2-20:2000集成電路器件的尺寸，不論是橫向的還是縱向的,都不斷的減小.以獲得更好的性能和更高的器件密度。然而.如果不降低電源電壓和接口電平,芯片內部的電場就會增大.從而使芯片的可靠性降低增大的電場和增大的系統時鐘頻率，會增加電源電壓和地之間的電磁干擾和電磁噪聲，降低了噪聲的容限,也增加了誤操作的可能。為了持續地按比例降低半導體器件的尺寸.降低電源電壓是關鍵。為了使系統工作在低電源電壓下，電源電壓的容差和輸人輸出的電壓必須被規定的相當接近。同時考慮到由于電池設備的市場發展很快，將其包含在內,對其進行規定也是很重要的。在本階段規定這些標準值.制造商可以減少成本，用戶可以更經濟的設計系統。

GB/T17574.20—2006/IEC60748-2-20:2000半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范范圍本規范的目的是給出低壓集成電路不同分組的接口規范,包括電源電壓值、容差和最壞情況下的輸入、輸出電壓極限值。同時給出每類標稱電源電壓的兩種接口規范：正常范圍和寬范圍。正常范圍是依據工業標準制定的.典型容差大約是10%。寬范圍是擴展到一個較寬的范圍，可以使電池繼續工作的實際值。！低于3.3V的低電源電壓接口規范2.13.×V(3級)電源電壓規范適用全工作溫度范圍下的LVTTL和LVCMOS兼容電路、2.1.1正常工作電源電壓范圍最小值竹號最大值單位電源電壓極限46電源電壓工作范圍3.6輸入低電平電壓工作范圍0.8輸人高電平電壓工作范圍Vop+0.3Vo=3V.Vn=0.8V.Vin=2V時的電特性LVTTLLVCMOS符號條件特件單位最小值最大值最小值最大值JoL=2mA0.輸

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經授權，嚴禁復制、發行、匯編、翻譯或網絡傳播等，侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數字商品的特殊性，一經售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質量問題。

評論

0/150

提交評論