標準解讀

《GB/T 44937.2-2025 集成電路 電磁發射測量 第2部分:輻射發射測量 TEM小室和寬帶TEM小室法》是一項國家標準,該標準詳細規定了使用TEM(Transverse Electromagnetic)小室及寬帶TEM小室對集成電路的輻射發射進行測量的方法。其主要目的是為了提供一種標準化的測試手段來評估集成電路在正常工作狀態下對外部環境產生的電磁干擾水平,從而幫助制造商確保產品符合相關電磁兼容性要求。

標準首先定義了一些基本術語和概念,比如什么是TEM小室、寬帶TEM小室以及它們各自的特點與適用范圍。接著介紹了測試前準備工作,包括但不限于測試環境的選擇、設備校準等步驟,以保證測試結果的準確性和可重復性。對于測試過程,則詳述了如何設置被測件、如何連接測試儀器、具體的測量程序等內容,并且還提供了關于數據處理與分析的方法指導,以便于從原始測量數據中提取出有用信息。


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....

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  • 2025-12-31 頒布
  • 2026-07-01 實施
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GB/T 44937.2-2025集成電路電磁發射測量第2部分:輻射發射測量TEM小室和寬帶TEM小室法_第1頁
GB/T 44937.2-2025集成電路電磁發射測量第2部分:輻射發射測量TEM小室和寬帶TEM小室法_第2頁
GB/T 44937.2-2025集成電路電磁發射測量第2部分:輻射發射測量TEM小室和寬帶TEM小室法_第3頁
GB/T 44937.2-2025集成電路電磁發射測量第2部分:輻射發射測量TEM小室和寬帶TEM小室法_第4頁
GB/T 44937.2-2025集成電路電磁發射測量第2部分:輻射發射測量TEM小室和寬帶TEM小室法_第5頁

文檔簡介

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標準

GB/T449372—2025/IEC61967-22005

.:

集成電路電磁發射測量

第2部分輻射發射測量TEM小室和

:

寬帶TEM小室法

Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—

Part2Measurementofradiatedemissions—TEMcelland

:

widebandTEMcellmethod

IEC61967-22005Interatedcircuits—Measurementofelectromanetic

(:,gg

emissions150kHzto1GHz—Part2Measurementofradiatedemissions—

:

TEMCellandwidebandTEMCellmethodIDT

,)

2025-12-31發布2026-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T449372—2025/IEC61967-22005

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

概述

4………………………2

試驗條件

5…………………2

通則

5.1…………………2

供電電壓

5.2……………2

頻率范圍

5.3……………2

試驗設備

6…………………2

通則

6.1…………………2

屏蔽

6.2…………………2

射頻測量儀器

6.3………………………2

前置放大器

6.4…………………………2

小室

6.5TEM……………2

寬帶小室

6.6TEM(GTEM)……………3

終端

6.750Ω……………3

系統增益

6.8……………3

試驗布置

7…………………3

通則

7.1…………………3

試驗配置

7.2……………3

試驗

7.3PCB……………4

試驗程序

8…………………5

通則

8.1…………………5

測量環境噪聲

8.2………………………6

檢查工作狀態

8.3DUT………………6

測量發射

8.4DUT……………………6

試驗報告

9…………………6

通則

9.1…………………6

測量條件

9.2……………6

發射參考電平

10IC………………………6

附錄資料性校準和布置驗證表示例

A()………………7

附錄資料性小室和寬帶小室描述

B()TEMTEM……………………8

小室

B.1TEM……………8

GB/T449372—2025/IEC61967-22005

.:

寬帶小室

B.2TEM……………………8

附錄資料性根據測得的數據計算偶極矩

C()…………9

概述

C.1…………………9

偶極矩的計算

C.2………………………9

附錄資料性發射數據規范

D()…………10

概述

D.1…………………10

發射電平規范

D.2………………………10

結果表述方式

D.3………………………10

示例

D.4…………………11

參考文獻

……………………12

GB/T449372—2025/IEC61967-22005

.:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件是集成電路電磁發射測量的第部分已經發布了以下

GB/T44937《》2。GB/T44937

部分

:

第部分通用條件和定義

———1:;

第部分輻射發射測量小室和寬帶小室法

———2:TEMTEM;

第部分輻射發射測量表面掃描法

———3:;

第部分傳導發射測量直接耦合法

———4:1Ω/150Ω;

第部分傳導發射測量工作臺法拉第籠法

———5:;

第部分傳導發射測量磁場探頭法

———6:;

第部分輻射發射測量帶狀線法

———8:IC。

本文件等同采用集成電路電磁發射測量第部分輻射

IEC61967-2:2005《150kHz~1GHz2:

發射測量小室和寬帶小室法

TEMTEM》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動

:

為與現有標準協調將標準名稱改為集成電路電磁發射測量第部分輻射發射測量

———,《2:

小室和寬帶小室法

TEMTEM》。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業和信息化部提出

本文件由全國集成電路標準化技術委員會歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國電子技術標準化研究院浙江諾益科技有限公司中國汽車工程研究院股份

:、、

有限公司海研芯青島微電子有限公司廈門海諾達科學儀器有限公司中山大學蘇州泰思特電子科

、()、、、

技有限公司北京智芯微電子科技有限公司天津先進技術研究院工業和信息化部電子第五研究所

、、、、

北京國家新能源汽車技術創新中心有限公司中汽研新能源汽車檢驗中心天津有限公司中國家用電

、()、

器研究院南京信息工程大學廣州賽寶計量檢測中心服務有限公司海軍電磁兼容研究檢測中心中國

、、、、

合格評定國家認可中心福州物聯網開放實驗室有限公司極氪汽車寧波杭州灣新區有限公司中國

、、()、

北方車輛研究所中國信息通信研究院合興汽車電子太倉有限公司深圳市必聯電子有限公司中航

、、()、、

光電科技股份有限公司柳州汽車檢測有限公司重慶新民康科技優先公司攏澤上海技術有限公司

、、、()。

本文件主要起草人鄭益民崔強付君黃雪梅吳建飛方文嘯朱賽張治中胡小軍李煥然

:、、、、、、、、、、

符榮杰王新才梁吉明褚瑞李齊菅端端張潔譚澤強亓新陳彥張勇劉佳賴秋輝朱崇銘

、、、、、、、、、、、、、、

趙驥王紫任李旺劉海濤郭輝張吉宇陳小勇鮑宇航

、、、、、、、。

GB/T449372—2025/IEC61967-22005

.:

引言

為規范集成電路電磁發射測量以及為集成電路制造商和檢測機構提供不同的電磁發射測量方

,

法集成電路電磁發射測量規定了集成電路電磁發射測量的通用條件定義和不同測

,GB/T44937《》、

量方法的試驗程序和試驗要求擬由個部分構成

,9。

第部分通用條件和定義目的在于規定集成電路電磁發射測量的通用條件和定義

———1:。。

第部分通用條件和定義近場掃描數據交換格式目的在于規定近場掃描數據交換

———1-1:。

格式

第部分輻射發射測量小室和寬帶小室法目的在于規定小室和寬帶

———2:TEMTEM。TEM

小室法的試驗程序和試驗要求

TEM。

第部分輻射發射測量表面掃描法目的在于規定表面掃描法的試驗程序和試驗要求

———3:。。

第部分傳導發射測量直接耦合法目的在于規定直接耦合法的

———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

試驗程序和試驗要求

第部分傳導發射測量直接耦合法應用指南目的在于給出直

———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

接耦合法應用指導

。

第部分傳導發射測量工作臺法拉第籠法目的在于規定工作臺法拉第籠法的試驗程序

———5:。

和試驗要求

第部分傳導發射測量磁場探頭法目的在于規定磁場探頭法的試驗程序和試驗要求

———6:。。

第部分輻射發射測量帶狀線法目的在于規定帶狀線法的試驗程序和試驗要求

———8:IC。IC。

GB/T449372—2025/IEC61967-22005

.:

集成電路電磁發射測量

第2部分輻射發射測量TEM小室和

:

寬帶TEM小室法

1范圍

本文件描述了一種測量集成電路電磁輻射的方法受試需安裝在一塊試驗印制電路板

(IC)。ICIC

上該固定在橫電磁波小室或者吉赫茲橫電磁波小室頂部或底部切割出

(PCB),PCB(TEM)(GTEM)

的一個匹配端口稱為殼體端口上該不像通常用法位于小室內而是作為小室壁面的一部分

()。PCB,。

本方法適用于任何修改后增加了殼體端口的小室或小室見附錄但是被測的射頻

TEMGTEM(B)。,

電壓將會受到很多因素的影響影響被測電壓的主要因素是芯板和試驗小室殼體

(RF)。RFICPCB()

之間的距離

。

本方法使用小室芯板與地平面距離為和小室芯板與匹配端口區域

1GHzTEM(45mm)GTEM(

地平面平均距離為進行試驗其他小室或許不用產生同樣的頻譜輸出但只要頻率和靈敏度

45mm)。,

特性允許也能用作比較測量使用對于地平面與芯板間距不同的小室或小室產生的測

,。TEMGTEM

量數據在應用修正系數后再進行比較

,。

試驗控制著工作的相對于小室的幾何位置和方向避免了在小室內的任何電纜連接

ICPCBIC,IC

這些線纜布置于背面位于小室外部小室的一個端口端接負載小室

(PCB,)。TEM50Ω50Ω。TEM

的另一個端口或小室的唯一一個端口連接到頻譜分析儀或接收機的輸入端用以

50ΩGTEM50Ω,,

測量

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