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文檔簡介

出的圖案出現偏差，從而帶來的光刻硅晶圖像失真的情況。如圖1.4為一個簡單圖錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。.1光刻成像系統衍射級別更高的光刻圖案，造成光刻圖案失真的現象7。為了能夠盡可能地確保掩模上的電路圖像精準地刻到晶圓上，物鏡應至少考慮到相對額定±1強度的光刻強度。考慮到以上因素，設計間距與光源、物鏡的關系符合接影響其電路版圖的容量，這一參數可以由公式1.2得出。達到14nm甚至7nm節點，而光刻光源波長的革新卻停滯不前，目前在圖1.4中，左邊以Core為中心的電路圖案為掩模版的目標電路圖，經由右如圖1.5所示，當直接使用原始電路圖作為掩模時，可能會出現圖像失真的

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