天津市2026屆高三化學(xué)復(fù)習(xí)：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 易錯(cuò)考點(diǎn)辨析

天津高三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)易錯(cuò)考點(diǎn)精準(zhǔn)辨析

1J2U25年天津河西區(qū)高三一模]電子云圖中的小黑點(diǎn)越密集，表示該區(qū)域電子出現(xiàn)的概率越大（）

2.[2025年天津和平區(qū)高三二模]s能級(jí)的電子云輪廓圖是球形，p能級(jí)的電子云輪廓圖是啞鈴形（）

3.[2025年天津部分區(qū)高三一模]同一原子中，Is、2s、3s電子的能量逐漸降低（）

4.[2025年天津紅橋區(qū)高三二模]基態(tài)碳原子的電子排布式為Is22s22P2,不存在未成對(duì)電子（）

5.[2025年天津河北區(qū)高三一模]價(jià)電子排布式為4s24P3的原子，其所在的元素是主族元素（）

6.[2024年天津高考卷1基態(tài)鋁原子的電子排布式為[Ar]3d44s2,符合構(gòu)造原理（）

7.[2024年天津河西區(qū)高三二模]元素的第一電離能越大，其金屬性越強(qiáng)（）

8.[2024年天津南開(kāi)區(qū)高三一模]同盾期主族元素從左到右，第一電離能呈增大趨勢(shì)（）

9.[2024年天津和平區(qū)高三二模]同主族元素從上到下，電負(fù)性逐漸增大（）

10.[2024年天津河北區(qū)高三一模]電負(fù)性越大的元素，原子吸引電子的能力越強(qiáng)（）

11.[2024年天津紅橋區(qū)高三二模]所有非金屬元素的電負(fù)性都大于金屬元素的電負(fù)性（）

12.[2024年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模]共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短，鍵能就越大，共價(jià)鍵就越穩(wěn)定（）

13.[2024年天津西青區(qū)高三二模|分子中所有的共價(jià)鍵都是。鍵（）

14.[2024年天津北辰區(qū)高三一模]o鍵是軸對(duì)稱(chēng)的，兀鍵是鏡面對(duì)稱(chēng)的（）

15.[2024年天津東麗區(qū)高三二模]氮?dú)夥肿又泻?個(gè)。鍵和2個(gè)加鍵（）

16.[2023年天津高考卷]甲烷分子的空間構(gòu)型是正四面體形，中心C原子為sp，雜化（）

17.[2023年天津河西區(qū)高三一模]氨氣分子中N原子的雜化類(lèi)型是sp3雜化，分子為正四面體形（）

18.[2023年天津南開(kāi)區(qū)高三二模]水分子中O原子的雜化類(lèi)型是sp3雜化，分子為V形（）

19.[2023年天津和平區(qū)高三一模]二氧化碳分子中C原子的雜化類(lèi)型是sp雜化，分子為直線形（）

20.[2023年天津河北區(qū)高三二模]苯分子中C原子的雜化類(lèi)型是sp雜化，分子為平面正六邊形（）

21.[2025年天津河?xùn)|區(qū)高三一模]含有極性鍵的分子一定是極性分子（）

22.[2025年天津津南區(qū)高三二模]非極性分子中一定含有非極性鍵（）

23.[2025年天津?qū)毜?區(qū)高三一模]氫鍵是一種特殊的共價(jià)鍵（）

24.[2025年天津武清區(qū)高三二模]分子間氫鍵可以提高該分子的（）

25.[2025年天津靜海區(qū)高三一模]冰中水分子的配位數(shù)為4,體現(xiàn)了氫鍵的飽和性和方向性（）

26.[2025年天津?qū)幒訁^(qū)高三二模|離子晶體中一定含有金屬陽(yáng)離子（）

27.[2025年天津薊州區(qū)高三一模]原子晶體的熔點(diǎn)一定高于離子晶體（）

28.[2025年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模]分子晶體的熔沸點(diǎn)通常較低，因?yàn)榉肿娱g作用力較弱（）

29.[2024年天津河?xùn)|區(qū)高三一模]金屬晶體的導(dǎo)電性是因?yàn)榻饘伲ǎ?/p>

30.[2024年天津津南區(qū)高三二模]石墨晶體中存在共價(jià)鍵、金屬鍵和范德華力，屬于混合晶體（）

31.[2024年天津?qū)毎邊^(qū)高三一模]氯化鈉晶體中，每個(gè)Na+周?chē)o鄰的C1-有6個(gè)（）

32.[2024年天津武清區(qū)高三二模]氯化鈉晶體中，每個(gè)Cs+周?chē)o鄰的Q-有8個(gè)（）

33.[2024年天津靜海區(qū)高三一模|金剛石晶體中，每個(gè)C原子周?chē)o鄰的C原子有6個(gè)（）

34.[2024年天津?qū)幒訁^(qū)高三二模]二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子周?chē)o鄰的O原子有4個(gè)（）

35.[2024年天津薊州區(qū)高三二模]金屬晶體的堆積方式中，面心立方最密堆積的配位數(shù)為12（）

36.[2023年天津河?xùn)|區(qū)高三一模|金屬晶體的堆積方式中，體心立方堆積的配位數(shù)為8（）

37.[2023年天津津南區(qū)高三二模]離子晶體的晶格能越大，晶體的熔點(diǎn)越高（）

38.[2023年天津?qū)毱聟^(qū)高三二模]分子晶體中，分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高（）

39.[2025年天津河西區(qū)高三二模]價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，孤電子對(duì)的斥力大于成鍵電子對(duì)（）

40.[2025年天津和平區(qū)高三一模]中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)等于成鍵電子對(duì)數(shù)與孤電子對(duì)數(shù)之和（）

41.[2025年天津紅橋區(qū)高三一模]配位鍵是一種特殊的共價(jià)鍵，其中一方提供孤電子對(duì)，另一方提供空軌道（）

42.[2025年天津河北區(qū)高三二模]彼根離子中存在配位鍵，其中N（）

43.[2024年天津南開(kāi)區(qū)高三一模|配位化合物中，中心離子一定是金屬離子（）

44.[2024年天津和平區(qū)高三一模]手性分子一定含有手性碳原子（）

45.[2024年天津河北區(qū)高三二模]晶體的自范性是指晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)多面體外形的性質(zhì)（）

46.[2024年天津紅橋區(qū)高三一模]晶體具有固定的熔點(diǎn)，非晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn)（）

47.[2024年天津?yàn)I海新區(qū)高三二模]可以通過(guò)X射線衍射實(shí)驗(yàn)來(lái)區(qū)分晶體和非晶體（）

48.[2023年天津西青區(qū)高三一模]金屬鍵的本質(zhì)是金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電作用（）

49.[2023年天津北辰區(qū)高三二模]離子鍵的本質(zhì)是陰、陽(yáng)離子之間的靜電引力（）

50.[2023年天津東麗區(qū)高三一模]共價(jià)鍵具有飽和性和方向性（）

51.[2025年天津西青區(qū)高三一模]同一周期中，第11A族和第VA族元素的第一電離能高于相鄰元素（）

52.[2025年天津北辰區(qū)高三二模]基態(tài)原子的電子排布遵循能量最低原理、泡利不相容原理和洪特規(guī)則（）

53.[2025年天津東麗區(qū)高三二模|洪特規(guī)則指出，電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，電子總是優(yōu)先（）

54.[2024年天津西青區(qū)高三一模]電子排布式中，能級(jí)的順序是按照構(gòu)造原理的能量順序排列的（）

55.[2024年天津北辰區(qū)高三一模]價(jià)電子是指原子（）

56.[2024年天津東麗區(qū)高三一模|電負(fù)性的大小可以用來(lái)判斷元素的金屬性和非金屬性強(qiáng)弱（）

57.[2023年天津西青區(qū)高三二模]鍵能是指氣態(tài)分子中Imol（）

58.[2023年天津北辰區(qū)高三一模]鍵角是指分子中兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角（）

59.[2023年天津東麗區(qū)高三二模]雜化軌道理論可以用來(lái)解釋分子的空間構(gòu)型（）

60.[2025年天津?qū)毜?區(qū)高三二模]極性分子中一定含有極性鍵，非極性分子中可以只含極性鍵（）

61.[2025年天津武清區(qū)高三一模]范德華力包括取向力、誘導(dǎo)力和色散力，所有分子之間都存在色散力（）

62.[2025年天津靜海區(qū)高三二模]氫鍵的強(qiáng)度介于共價(jià)鍵與范德華力之間（）

63.[2024年天津?qū)毜?區(qū)高三二模|分子間作用力的大小決定了分子晶體的熔沸點(diǎn)（）

64.[2024年天津武清區(qū)高三一模]離子晶體中，陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)與離子半徑之比有關(guān)（）

65.[2024年天津靜海區(qū)高三二模]原子晶體中只存在共價(jià)鍵，其熔沸點(diǎn)高、硬度大（）

66.[2023年天津?qū)氎髤^(qū)高三一模|金屬晶體的延展性與金屬陽(yáng)離子和自由電子之間的靜電作用有關(guān)（）

67.[2023年天津武清區(qū)高三二模]石墨的熔點(diǎn)高于金剛石，是因?yàn)槭奶继兼I鍵能更大（）

68.[2023年天津靜海區(qū)高三一模]干冰屬于分子晶體，升華時(shí)破壞（）

69.[2025年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]配位化合物的內(nèi)界和外界之間以離子鍵結(jié)合（）

70.[2025年天津薊州區(qū)高三二模]手性分子的性質(zhì)與普通分子不同，在醫(yī)藥領(lǐng)域有重要應(yīng)用（）

71.[2024年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]晶體的晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，晶胞（）

72.[2024年天津薊州區(qū)高三一模|晶胞中原子的配位數(shù)是指一個(gè)原子周?chē)o鄰且等距離的原子數(shù)（）

73.[2023年天津?qū)幒訁^(qū)高三二模]金屬晶體的導(dǎo)熱性是因?yàn)樽杂呻娮釉谶\(yùn)動(dòng)過(guò)程中傳遞熱量（）

74.[2023年天津薊州區(qū)高三二模]離子晶體的溶解性與晶格能和水合能的相對(duì)大小有關(guān)（）

75.[2025年天津?yàn)I海新區(qū)高三二模]價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，雙鍵和三鍵（）

76.[2025年天津河?xùn)|區(qū)高三二模]基杰鐵原子的電子排布式為[AiJ3d64s2,屬于d區(qū)元素（）

77.[2024年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模]基態(tài)銅原子的電子排布式為[Ar]3dI。4s】，符合洪特規(guī)則的特例（）

78.[2024年天津河?xùn)|區(qū)高三二模]第一電離能：N>O>C（）

79.[2023年天津?yàn)I海新區(qū)高三二模]電負(fù)性：F>O>N（）

80.[2023年天津河?xùn)|區(qū)高三一模]分子晶體中，具有氫鍵的分子晶體熔沸點(diǎn)（）

81.[2025年天津津南區(qū)高三一模]氯化鈉晶體的晶格能大于氯化鉀，因?yàn)镹a+半徑小于K，半徑（）

82.[2025年天津?qū)毭^(qū)高三一模]二氧化硅晶體中，每個(gè)O原子周?chē)o鄰的Si原子有2個(gè)（）

83.[2024年天津津南區(qū)高三一模]金屬晶體中，自由電子可以在整個(gè)晶體中自由移動(dòng)（）

84.[2024年天津?qū)氎髤^(qū)高三一模]共價(jià)晶體（原子晶體）的硬度大，可用作耐磨材料（）

85.[2023年天津津南區(qū)高三一模]離子晶體中，陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，晶格能越大（）

86.[2025年天津武清區(qū)高三二模]范德華力是分子之間的相互作用力，強(qiáng)度遠(yuǎn)小于化學(xué)鍵（）

87.[2025年天津靜海區(qū)高三一模]氫鍵只存在于分子之間，不存在于分子內(nèi)部（）

88.[2024年天津武清區(qū)高三二模]極性鍵是指由不同（）

89.[2024年天津靜海區(qū)高三一模|非極性鍵是指由同種元素的原子形成的共價(jià)鍵（）

90.[2023年天津武清區(qū)高三一模]原子晶體中，共價(jià)鍵的鍵能越大，晶體的熔點(diǎn)越高（）

91.[2025年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]價(jià)層電子對(duì)互斥理論可以預(yù)測(cè)分子的空間構(gòu)型（）

92.[2025年天津薊州區(qū)高三一模|配位鍵的強(qiáng)度與普通共價(jià)鍵相當(dāng)，（）

93.[2024年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]晶體的對(duì)稱(chēng)性是晶體的基本性質(zhì)之一（）

94.[2024年天津薊州區(qū)高三一模]非晶體的內(nèi)部粒子排列無(wú)規(guī)則，沒(méi)有固定的幾何外形（）

95.[2023年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]金屬陽(yáng)離子的半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)（）

96.[2025年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模]同一主族元素從上到下，第一電離能逐漸減小（）

97.[2025年天津河西區(qū)高三一模]同一周期元素從左到右，電負(fù)性逐漸增大（）

98.[2024年天津紅橋區(qū)高三二模]分子的極性可以通過(guò)分子的空間構(gòu)型來(lái)判斷（）

99.[2024年天津和平區(qū)高三二模1晶胞是晶體的最小重復(fù)單元，整個(gè)晶體可以看作是晶胞（）

100.[2023年天津紅橋區(qū)高三一模]物質(zhì)的聚集狀態(tài)與溫度、壓強(qiáng)等外界條件有關(guān)（）

天津高三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)易錯(cuò)考點(diǎn)精準(zhǔn)辨析（2023-2025真題+模考題）

解析版

1.[2025年天津河西區(qū)高三一模]電子云圖中的小黑點(diǎn)越密集，表示該區(qū)域電子出現(xiàn)的概率越大3）

解析：電子云圖的小黑點(diǎn)并非代表電子的實(shí)際位置，而是電子在核外空間某處出現(xiàn)的概率密度的形象化描述，小黑

點(diǎn)越密集，電子出現(xiàn)的概率越大。

2.[2025年天津和平區(qū)高三二模]s能級(jí)的電子云輪廓圖是球形，p能級(jí)的電子云輪廓圖是啞鈴形（Y）

解析：s能級(jí)只有1個(gè)軌道，電子云呈球形對(duì)稱(chēng)；p能級(jí)有3個(gè)軌道，電子云輪廓圖均為啞鈴形，分別沿x、y、z

軸分布。

3.[2025年天津部分區(qū)高三一模]同一原子中，Is、2s、3s電子的能量逐漸降低（x）

解析：同一能級(jí)的電子，能層序數(shù)越大，電子離核越遠(yuǎn)，能量越高，因此同一原子中Is、2s、3s電子的能量逐漸

升高。

4.[2025年天津紅橋區(qū)高三二模]基態(tài)碳原子的電子排布式為Is22s22P2,不存在未成對(duì)電子（x）

解析：根據(jù)洪特規(guī)則，電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋

狀態(tài)相同，因此2P軌道的2個(gè)電子分占2個(gè)軌道，存在2個(gè)未成對(duì)電子。

5.[2025年天津河北區(qū)高三一模]價(jià)電子排布式為4s24P3的原子，其所在的元素是主族元素2

解析：價(jià)電子排布式為ns2np3的元素屬于第VA族，位于p區(qū)，是主族元素。

6.[2024年天津高考卷|基態(tài)鋁原子的電子排布式為[Ar]3d44s2,符合構(gòu)造原理（x）

解析：基態(tài)銘原子的電子排布存在洪特規(guī)則特例，3d軌道半充滿(mǎn)時(shí)能量更低，其正確電子排布式為次日3（1540。

7.[2024年天津河西區(qū)高三二模]元素的第一電離能越大，其金屬性越強(qiáng)（x）

解析：第一電離能是氣態(tài)基態(tài)原子失去最外層一個(gè)電子所需的最低能量，第一電離能越大，原子越難失去電子，金

屬性越弱。

8.[2024年天津南開(kāi)區(qū)高三一模]同盾期主族元素從左到右，第一電離能呈增大趨勢(shì)3

解析：同周期主族元素從左到右，原子半徑逐漸減小，核電荷數(shù)逐漸增大，原子核對(duì)核外電子的吸引力逐漸增強(qiáng)，

失電子能力逐漸減弱，第一電離能總體呈增大趨勢(shì)。

9.[2024年天津和平區(qū)高三二模]同主族元素從上到下，電負(fù)性逐漸增大（x）

解析：同主族元素從上到下，原子半徑逐漸增大，原子核對(duì)最外層電子的吸引力逐漸減弱，吸引電子的能力逐漸降

低，電負(fù)性逐漸減小。

10.[2024年天津河北區(qū)高三一模|電負(fù)性越大的元素，原子吸引電子的能力越強(qiáng)（Y）

解析：電負(fù)性的定義就是元素的原子在化合物中吸引鍵合電子能力的標(biāo)度，電負(fù)性數(shù)值越大，原子吸引電子的能力

越強(qiáng)。

11.[2024年天津紅橋區(qū)高三二模]所有非金屬元素的電負(fù)性都大于金屬元素的電負(fù)性（x）

解析：存在部分金屬元素的電負(fù)性大于非金屬元素的情況，例如金屬元素鉛（Pb）的電負(fù)性大于非金屬元素硅（竽）。

12.[2024年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模]共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短，鍵能就越大，共價(jià)鍵就越穩(wěn)定2

解析：共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短，說(shuō)明成鍵原子的核間距越小，原子核對(duì)共用電子對(duì)的吸引力越強(qiáng)，鍵能越大，共價(jià)鍵的

穩(wěn)定性越高。

13.[2024年天津西青區(qū)高三二模|分子中所有的共價(jià)鍵都是o鍵（x）

解析：含有雙鍵或三鍵的分子中，既存在。鍵也存在7T鍵，例如氮?dú)夥肿又泻?個(gè)。鍵和2個(gè)汗鍵。

14.[2024年天津北辰區(qū)高三一模]。鍵是軸對(duì)稱(chēng)的，兀鍵是鏡面對(duì)稱(chēng)的3

解析：。鍵的電子云沿鍵軸呈軸對(duì)稱(chēng)分布，可繞鍵軸自由旋轉(zhuǎn)；7T鍵的電子云沿鍵軸兩側(cè)呈鏡面對(duì)稱(chēng)分布，不能繞

鍵軸旋轉(zhuǎn)。

15.[2024年天津東麗區(qū)高三二模]氮?dú)夥肿又泻?個(gè)。鍵和2個(gè)兀鍵（4）

解析：氮?dú)夥肿拥慕Y(jié)構(gòu)式為N三N,三鍵中包含1個(gè)。鍵和2個(gè)7T鍵。

16.[2023年天津高考卷]甲烷分子的空間構(gòu)型是正四面體形，中心C原子為sp，雜化2

解析：甲烷分子中中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,且無(wú)孤電子對(duì)，采取spa等性雜化，空間構(gòu)型為正四面體形。

17.[2023年天津河西區(qū)高三一模]氨氣分子中N原子的雜化類(lèi)型是sp3雜化，分子為正四面體形（x）

解析：氨氣分子中N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4（3個(gè)成鍵電子對(duì)，1個(gè)孤電子對(duì)），采取不等性雜化，由于孤電

子對(duì)的斥力大于成鍵電子對(duì)，分子空間構(gòu)型為三角錐形。

18.[2023年天津南開(kāi)區(qū)高三二模]水分子中。原子的雜化類(lèi)型是sp3雜化，分子為V形2

解析：水分子中。原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4（2個(gè)成鍵電子對(duì)，2個(gè)孤電子對(duì)），采取sp3不等性雜化，孤電子對(duì)的

斥力使分子呈V形。

19.[2023年天津和平區(qū)高三一模]二氧化碳分子中C原子的雜化類(lèi)型是sp雜化，分子為直線形（7）

解析：二氧化碳分子中C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2,無(wú)孤電子對(duì)，采取sp雜化，分子空間構(gòu)型為直線形。

20.[2023年天津河北區(qū)高三二模|苯分子中C原子的雜化類(lèi)型是s爐雜化，分子為平面正六邊形Z）

解析：苯分子中每個(gè)C原子均采取即?雜化，6個(gè)C原子和6個(gè)H原子共平面，形成平面正六邊形結(jié)構(gòu)。

21.[2025年天津河?xùn)|區(qū)高三一模]含有極性鍵的分子一定是極性分子（x）

解析：含有極性鍵的分子，若分子的空間構(gòu)型對(duì)稱(chēng)，極性鍵的極性可相互抵消，分子則為非極性分子，例如二氧化

碳分子含有極性鍵，但屬于非極性分子。

22.[2025年天津津南區(qū)高三二模]非極性分子中一定含有非極性鍵（x）

解析：非極性分子不一定含有非極性鍵，例如甲烷分子只含有極性鍵，但分子空間構(gòu)型對(duì)稱(chēng)，屬于非極性分子。

23.[2025年天津?qū)毜?區(qū)高三一模]氫鍵是一種特殊的共價(jià)鍵（x）

解析：氫鍵不屬于化學(xué)鍵，而是一種特殊的分子間作用力，其強(qiáng)度介于范譙華力和共價(jià)鍵之間。

24.[2025年天津武清區(qū)高三二模]分子間氫鍵可以提高該分子的熔沸點(diǎn)7）

解析：分子間形成氫鍵會(huì)使分子間的作用力顯著增強(qiáng)，物質(zhì)熔化或汽化時(shí)需要克服更強(qiáng)的分子間作用力，因此熔沸

點(diǎn)會(huì)升高。

25.[2025年天津靜海區(qū)高三一模]冰中水分子的配位數(shù)為4,體現(xiàn)了氫鍵的飽和性和方向性（7）

解析：氫鍵具有飽和性（一個(gè)H原子只能形成一個(gè)氫鍵）和方向性（氫鍵的形成方向具有特定角度），因此冰中每

個(gè)水分子只能與周?chē)?個(gè)水分子形成氫鍵，配位數(shù)為4。

26.[2025年天津?qū)幒訁^(qū)高三二模]離子晶體中一定含有金屬陽(yáng)離子（x）

解析：離子晶體中不一定含有金屬陽(yáng)離子，例如鏤鹽（如氯化錢(qián)）是由錢(qián)根離子（\text{NH}_4A+）和陰離子構(gòu)成

的離子晶體，不含金屬陽(yáng)離子。

27.[2025年天津薊州區(qū)高三一模]原子晶體的熔點(diǎn)一定高于離子晶體（x）

解析：原子晶體的熔點(diǎn)不一定高于離子晶體，例如原子晶體二氧化硅的熔點(diǎn)（約1723-C）低于離子晶體氧化鎂的

熔點(diǎn)（約2852℃）。

28.[2025年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模]分子晶體的熔沸點(diǎn)通常較低，因?yàn)榉肿娱g作用力較弱3）

解析：分子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間通過(guò)較弱的分子間作用力結(jié)合，熔化或汽化時(shí)只需克服分子間作用力，

因此熔沸點(diǎn)通常較低。

29.[2025年天津河西區(qū)高三二模]金屬晶體的導(dǎo)電性是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子的自由移動(dòng)（x）

解析：金屬晶體的導(dǎo)電性是因?yàn)榫w中存在自由移動(dòng)的電子，在外加電場(chǎng)作用下，自由電子定向移動(dòng)形成電流。

30.[2024年天津津南區(qū)高三二模|石墨晶體中存在共價(jià)鍵、金屬鍵和范德華力，屬于混合晶體（7）

解析：石墨晶體中層內(nèi)碳原子通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合，層間存在范德華力，同時(shí)層內(nèi)存在可自由移動(dòng)的電子，具有金屬鍵

的特征，因此屬于混合晶體。

31.[2024年天津?qū)毭^(qū)高三一模]氯化鈉晶體中，每個(gè)Na+周?chē)o鄰的Q-有6個(gè)（4）

解析：氯化鈉晶體為面心立方結(jié)構(gòu)，每個(gè)Na+周?chē)嚯x最近且相等的。?有6個(gè)，配位數(shù)為6。

32.[2024年天津武清區(qū)高三二模]氯化鈉晶體中，每個(gè)Cs+周?chē)o鄰的。-有8個(gè)3）

解析：氯化鈍晶體為體心立方結(jié)構(gòu)，每個(gè)Cs+周?chē)嚯x最近且相等的。?有8個(gè)，配位數(shù)為8。

33.[2024年天津靜海區(qū)高三一模|金剛石晶體中，每個(gè)C原子周?chē)o鄰的C原子有6個(gè)（x）

解析：金剛石晶體中每個(gè)C原子采取spJ雜化，與周?chē)?個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，因此每個(gè)C原子周?chē)o鄰的C原

子有4個(gè)。

34.[2024年天津?qū)幒訁^(qū)高三二模|二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子周?chē)o鄰的O原子有4個(gè)（Y）

解析：二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)。原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成共價(jià)鍵，構(gòu)成空

間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

35.[2024年天津薊州區(qū)高三二模|金屬晶體的堆積方式中，面心立方最密堆積的配位數(shù)為12（Y）

解析：面心立方最密堆積的晶胞中，原子的配位數(shù)為12,常見(jiàn)的采用這種堆積方式的金屬有銅、銀、金等。

36.[2023年天津河?xùn)|區(qū)高三一模]金屬晶體的堆積方式中，體心立方堆積的配位數(shù)為83

解析：體心立方堆積的晶胞中，中心原子與周?chē)?個(gè)頂點(diǎn)原子距離最近且相等，配位數(shù)為8,常見(jiàn)金屬有鈉、鉀、

鐵等。

37.[2023年天津津南區(qū)高三二模]離子晶體的晶格能越大，晶體的熔點(diǎn)越高3）

解析：晶格能是氣態(tài)離子形成Imol離子晶體釋放的能量，晶格能越大，離子鍵越強(qiáng)，晶體熔化時(shí)需要克服的離子

鍵作用力越大，熔點(diǎn)越高。

38.[2023年天津?qū)毘?區(qū)高三二模]分子晶體中，分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高（x）

解析：結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高；但如果分子間存在氫鍵，熔沸點(diǎn)會(huì)

出現(xiàn)反常升高，例如水的熔沸點(diǎn)高于硫化氫。

39.[2025年天津河西區(qū)高三二模1價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，孤電子對(duì)的斥力大于成鍵電子對(duì)2

解析：價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，電子對(duì)之間的斥力大小順序?yàn)椋汗码娮訉?duì)■孤電子對(duì)>孤電子對(duì)一成鍵電子對(duì)>成

鍵電子對(duì)-成鍵電子對(duì)。

40.[2025年天津和平區(qū)高三一模]中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)等于成鍵電子對(duì)數(shù)與孤電子對(duì)數(shù)之和3

解析：汾層電子對(duì)包括成鍵電子對(duì)和孤電子對(duì)，因此中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是二者的總和，是判斷分子空間構(gòu)型

的關(guān)鍵。

41.[2025年天津紅橋區(qū)高三一模]配位鍵是一種特殊的共價(jià)鍵，其中一方提供孤電子對(duì)，另一方提供空軌道（4）

解析：配位鍵的形成條件是一方有孤電子對(duì)，另一方有可容納電子的空軌道，形成后與普通共價(jià)鍵的性質(zhì)無(wú)明顯差

異。

42.[2025年天津河北區(qū)高三二模]錢(qián)根離子中存在配位鍵，其中N原子提供孤電子對(duì)，H+提供空軌道3）

解析：錢(qián)根離子是由氨氣分子與氫離子通過(guò)配位鍵形成的，氨氣分子中的N原子有一對(duì)孤電子對(duì)，氫離子有1個(gè)

空軌道，二者形成配位鍵。

43.[2024年天津南開(kāi)區(qū)高三一模|配位化合物中，中心離子一定是金屬離子（x）

解析：配位化合物中的中心離子（或原子）不一定是金屬離子，也可以是中性原子或非金屬離子，例如撥基鐵中的

中心原子是鐵原子，錢(qián)根離子也可作為配體的中心體。

44.[2024年天津和平區(qū)高三一模]手性分子一定含有手性碳原子（x）

解析：手性分子不一定含有手性碳原子，某些不含手性碳原子的分子，由于分子的空間結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，也可以是手性

分子，例如聯(lián)苯類(lèi)化合物。

45.[2024年天津河北區(qū)高三二模]晶體的自范性是指晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)多面體外形的性質(zhì)（4）

解析：晶體的自范性是晶體的基本性質(zhì)之一，是晶體在適宜條件下能自發(fā)形成規(guī)則幾何外形的特性，非晶體不具備

該性質(zhì)。

46.[2024年天津紅橋區(qū)高三一模]晶體具有固定的熔點(diǎn)，非晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn)3）

解析：晶體內(nèi)部粒子排列有序，熔化時(shí)各部分粒子需要克服相同的作用力，因此有固定的熔點(diǎn)；非晶體內(nèi)部粒子排

列無(wú)序，熔化時(shí)溫度會(huì)持續(xù)升高，無(wú)固定熔點(diǎn)。

47.[2024年天津?yàn)I海新區(qū)高三二模]可以通過(guò)X射線衍射實(shí)驗(yàn)來(lái)區(qū)分晶體和非晶體2

解析：X射線衍射實(shí)驗(yàn)中，晶體會(huì)產(chǎn)生特征的衍射圖譜，而非晶體則不會(huì)，這是區(qū)分晶體和非晶體最可靠的方法。

48.[2023年天津西青區(qū)高三一模]金屬鍵的本質(zhì)是金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電作用3）

解析：金屬原子失去價(jià)電子形成金屬陽(yáng)離子，失去的價(jià)電子成為可在整個(gè)晶體中自由移動(dòng)的自由電子，金屬鍵就是

金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電相互作用。

49.[2023年天津北辰區(qū)高三二模]離子鍵的本質(zhì)是陰、陽(yáng)離子之間的靜電引力（x）

解析：離子鍵的本質(zhì)并非單一的靜電引力，而是陰、陽(yáng)離子之間的靜電作用，包含陽(yáng)離子與陰離子的靜電引力，以

及原子核之間、核外電子之間的靜電示力，二者達(dá)到平衡時(shí)形成穩(wěn)定的離子鍵。

50.[2023年天津東麗區(qū)高三一模|共價(jià)鍵具有飽和性和方向性（4）

解析：共價(jià)鍵的飽和性是指每個(gè)原子形成共價(jià)鍵的數(shù)目受未成對(duì)電子數(shù)限制；方向性是指形成共價(jià)鍵時(shí)，原子軌道

會(huì)沿電子云重疊程度最大的方向進(jìn)行重疊，以此提升共價(jià)鍵的穩(wěn)定性。

51.[2025年天津西青區(qū)高三一模|同一周期中，第HA族和第VA族元素的第一電離能高于相鄰元素3）

解析：第HA族元素的價(jià)電子排布為派人2,處于全充滿(mǎn)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；第VA族元素的價(jià)電子排布為nsA2np人3,處

于半充滿(mǎn)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，失去電子所需能量更高，因此第一電離能高于同周期相鄰元素。

52.[2025年天津北辰區(qū)高三二模]基態(tài)原子的電子排布遵循能量最低原理、泡利不相容原理和洪特規(guī)則3

解析：這三個(gè)原理是基態(tài)原子電子排布的核心規(guī)則，能量最低原理讓電子優(yōu)先占據(jù)能量低的軌道，泡利不相容原理

限制一個(gè)軌道最多容納2個(gè)自旋相反的電子，洪特規(guī)則明確等價(jià)軌道電子的排布方式。

53.[2025年天津東麗區(qū)高三二模|洪特規(guī)則指出，電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)

軌道(V)

解析：洪特規(guī)則的核心內(nèi)容就是，電子在填充等價(jià)軌道時(shí)，會(huì)優(yōu)先分占不同軌道且自旋平行，這樣的排布能使原子

的能量更低、結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。

54.[2024年天津西青區(qū)高三一模]電子排布式中，能級(jí)的順序是按照構(gòu)造原理的能量順序排列的(<)

解析:構(gòu)造原理總結(jié)了基態(tài)原子電子填充能級(jí)的先后順序，電子排布式就是按照這一能量由低到高的順序來(lái)書(shū)寫(xiě)的。

55.[2024年天津北辰區(qū)高三一模]價(jià)電子是指原子最外層能參與化學(xué)反應(yīng)的電子3)

解析：價(jià)電子決定了元素的化學(xué)性質(zhì)，主族元素的價(jià)電子就是最外層電子，過(guò)渡元素的價(jià)電子還包括次外層的部分

d軌道電子。

56.[2024年天津東麗區(qū)高三一模]電負(fù)性的大小可以用來(lái)判斷元素的金屬性和非金屬性強(qiáng)弱3)

解析：電負(fù)性數(shù)值越大，元素的非金屬性越強(qiáng)，吸引鍵合電子的能力越強(qiáng)；電負(fù)性數(shù)值越小，元素的金屬性越強(qiáng)，

失去電子的傾向越大。

57.[2023年天津西青區(qū)高三二模]鍵能是指氣態(tài)分子中Imol化學(xué)鍵斷裂吸收的能量3

解析：罹能是衡量化學(xué)鍵穩(wěn)定性的重要指標(biāo)，鍵能越大，化學(xué)鍵越穩(wěn)定，斷裂Imol該化學(xué)鍵所需吸收的能量就越

多。

58.[2023年天津北辰區(qū)高三一模]鍵角是指分子中兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角2

解析：鍵角是分子空間構(gòu)型的關(guān)鍵參數(shù)之一，結(jié)合鍵長(zhǎng)可以準(zhǔn)確描述分子的立體結(jié)構(gòu)，比如甲烷分子的鍵角約為

109。28'。

59.[2023年天津東麗區(qū)高三二模]雜化軌道理論可以用來(lái)解釋分子的空間構(gòu)型3)

解析：雜化軌道理論認(rèn)為，中心原子在形成分子時(shí)會(huì)將能量相近的原子軌道雜化，雜化軌道的空間伸展方向決定了

分子的空間構(gòu)型。

60.[2025年天津?qū)毜貐^(qū)高三二模]極性分子中一定含有極性鍵，非極性分子中可以只含極性鍵3

解析：極性分子的電荷分布不對(duì)稱(chēng)，一定含有極性鍵；非極性分子的電荷分布對(duì)稱(chēng)，比如甲烷分子，只含C-H極

性鍵，但分子為正四面體結(jié)構(gòu)，屬于非極性分子。

61.[2025年天津武清區(qū)高三一模]范德華力包括取向力、誘導(dǎo)力和色散力，所有分子之間都存在色散力2

解析：取向力和誘導(dǎo)力只存在于極性分子之間，而色散力是由分子瞬間偶極引起的，所有分子之間都普遍存在色散

力。

62.[2025年天津靜海區(qū)高三二模1氫鍵的強(qiáng)度介于共價(jià)鍵與范德華力之間(4)

解析：氫鍵不屬于化學(xué)鍵，其強(qiáng)度比范德華力強(qiáng)很多，但遠(yuǎn)弱于共價(jià)鍵，破壞氫鍵所需的能量低于破壞共價(jià)鍵的能

量。

63.[2024年天津?qū)氎髤^(qū)高三二模|分子間作用力的大小決定了分子晶體的熔沸點(diǎn)3)

解析：分子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間靠分子間作用力結(jié)合，熔化或汽化時(shí)只需克服分子間作用力，因此分子

間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高。

64.[2024年天津武清區(qū)高三一模]離子晶體中，陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)與離子半徑之比有關(guān)(《)

解析：離子半徑之比決定了陽(yáng)離子能容納的陰離子數(shù)量，比如NaCl晶體中Na+/Cl?的比值適中，配位數(shù)為6；CsCI

晶體中Cs+/CI?比值更大，配位數(shù)為8?

65.[2024年天津靜海區(qū)高三二模|原子晶體中只存在共價(jià)鍵，其熔沸點(diǎn)高、硬度大（Y）

解析：原子晶體的構(gòu)成微粒是原子，原子之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，破壞共價(jià)鍵需要很高的能量，因此熔

沸點(diǎn)高、硬度大。

66.[2023年天津?qū)氃g區(qū)高三一模]金屬晶體的延展性與金屬陽(yáng)離子和自由電子之間的靜電作用有關(guān)3）

解析：金屬晶體受外力作用時(shí)，金屬陽(yáng)離子層會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，而自由電子的“膠著”作用能保持靜電作用不被破壞,

因此金屬具有良好的延展性。

67.[2023年天津武清區(qū)高三二模]石墨的熔點(diǎn)高于金剛石，是因?yàn)槭奶继兼I鍵能更大3）

解析：石墨中層內(nèi)的碳碳鍵是介于單鍵和雙鍵之間的獨(dú)特鍵，鍵長(zhǎng)比金剛石的碳碳單鍵短，鍵能更大，破壞石墨的

共價(jià)鍵需要更多能量，因此熔點(diǎn)更高.

68.[2023年天津靜海區(qū)高三一模]干冰屬于分子晶體，升華時(shí)破壞分子間作用力3）

解析：干冰是固態(tài)二氧化碳，分子間靠范德華力結(jié)合，升華過(guò)程是二氧化碳分子由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，只破壞分子間作

用力，不破壞分子內(nèi)的共價(jià)鍵。

69.[2025年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]配位化合物的內(nèi)界和外界之間以離子鍵結(jié)合2

解析：配位化合物由內(nèi)界（中心離子/原子和配體）和外界組成，內(nèi)界是復(fù)雜離子，與外界離子之間通過(guò)離子鍵結(jié)

合，比如[Cu（NH3）4]SO4中內(nèi)界[Cu（NH3）4產(chǎn)和外界SCV?以離子鍵結(jié)合。

70.[2025年天津薊州區(qū)高三二模]手性分子的性質(zhì)與普通分子不同，在醫(yī)藥領(lǐng)域有重要應(yīng)用（7）

解析:手性分子的左右旋異構(gòu)體在生理活性上往往差異很大，比如某些藥物只有其中一種旋光異構(gòu)體具有治療效果,

因此在英藥研發(fā)中至關(guān)重要。

71.[2024年天津?qū)幒訁^(qū)高三一模]晶體的晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，晶胞在空間中呈周期性重復(fù)排列（《）

解析：晶胞是晶體的最小重復(fù)單元，晶胞的形狀、大小和微粒排列方式?jīng)Q定了整個(gè)晶體的結(jié)構(gòu)，通過(guò)晶胞可以推導(dǎo)

出晶體的各項(xiàng)性質(zhì)。

72.[2024年天津薊州區(qū)高三一模]晶胞中原子的配位數(shù)是指一個(gè)原子周?chē)o鄰且等距離的原子數(shù)（Y）

解析：配位數(shù)是衡量晶體中微粒排列緊密程度的重要參數(shù)，不同晶體結(jié)構(gòu)的配位數(shù)不同，比如面心立方最密堆積的

配位數(shù)為12o

73.[2023年天津?qū)幒訁^(qū)高三二模]金屬晶體的導(dǎo)熱性是因?yàn)樽杂呻娮釉谶\(yùn)動(dòng)過(guò)程中傳遞熱量3）

解析：金屬晶體受熱時(shí)，自由電子獲得能量后運(yùn)動(dòng)速率加快，會(huì)將熱量從高溫區(qū)域傳遞到低溫區(qū)域，因此金屬具有

良好的導(dǎo)熱性。

74.[2023年天津薊州區(qū)高三二模|離子晶體的溶解性與晶格能和水合能的相對(duì)大小有關(guān)（4）

解析：當(dāng)離子晶體的水合能大于晶格能時(shí)，晶體容易溶于水；反之則難溶于水，比如氯化鈉的水合能大于晶格能，

易溶于水，而硫酸鋼的晶格能遠(yuǎn)大于水合能，難溶于水。

75.[2025年天津?yàn)I海新區(qū)高三二模]價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，雙鍵和三鍵均按1個(gè)電子對(duì)計(jì)算3）

解析：價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，雙鍵、三鍵的電子云集中程度更高，但為了簡(jiǎn)化計(jì)算，均按1個(gè)價(jià)層電子對(duì)來(lái)判斷

分子的空間構(gòu)型。

76.[2025年天津河?xùn)|區(qū)高三二模]基態(tài)鐵原子的電子排布式為[AH3d64s2,屬于d區(qū)元素（4）

解析：鐵元素的價(jià)電子排布為3d64s2,d區(qū)元素的定義就是價(jià)電子填充在d軌道上的元素，因此鐵屬于d區(qū)的過(guò)渡

兀素。

77.[2024年天津?yàn)I海新區(qū)高三一模|基態(tài)銅原子的電子排布式為[Ar]3#04si,符合洪特規(guī)則的特例（\）

解析：銅原子的電子排布為3d軌道全充滿(mǎn)、4s軌道半充滿(mǎn)，這種抹布的能量更低、結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，符合洪特規(guī)則中

全充滿(mǎn)、半充滿(mǎn)的特例。

78.[2024年天津河?xùn)|區(qū)高三二模]第一電離能：N>O>C（%/）

解析：N原子的價(jià)電子排布為2s22P3,處于半充滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，第一電離能高于相鄰的O；C、N、O同周期，總體

第一電離能呈增大趨勢(shì)，因此順序?yàn)镹>O>C。

79.[2023年天津?yàn)I海新區(qū)高三二模]電負(fù)性：F>O>N（^）

解析：F、O、N均為同周期非金屬元素，同周期從左到右電負(fù)性逐漸增大，因此電負(fù)性順序?yàn)镕>O>N。

80.[2023年天津河?xùn)|區(qū)高三一模]分子晶體中，具有氫鍵的分子晶體熔沸點(diǎn)通常高于無(wú)氫鍵的分子晶體2

解析：分子間氫鍵會(huì)顯著增強(qiáng)分子間作用力，物質(zhì)熔化或汽化時(shí)需要克服更強(qiáng)的作用力，因此熔沸點(diǎn)會(huì)反常升高，

比如水的熔沸點(diǎn)高于硫化氫。

81.[2025年天津津南區(qū)高三一模|氯化鈉晶體的晶格能大于氯化鉀，因?yàn)镹a+半徑小于K+半徑（力

解析：晶格能與離子半徑成反比，與離子所帶電荷成正比，Na+和K+電荷數(shù)相同，Na+半徑更小，因此氯化鈉的晶

格能更大。

82.[2025年天津?qū)氃g區(qū)高三一模|二氧化硅晶體中，每個(gè)O原子周?chē)o鄰的Si原子有2個(gè)（Y）

解析：二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成共價(jià)鍵，構(gòu)成空

間網(wǎng)狀的原子晶體結(jié)構(gòu)。

83.[2024年天津津南區(qū)高三一模|金屬晶體中，