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采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優本發明公開了采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，涉及半導體制造技術領策。解決了現有技術中對VCSEL芯片濕法氧化過問題，達到了對VCSEL芯片濕法氧化過程精準控2對氧化過程進行擬合觀測，根據擬合觀測結果對氧化過配置全局控制層，通過所述階段劃分特征和所述實時數據將所述全局決策下發至參數關聯控制層后，以所述參數關聯控制層對全局決策解析，對所述時序擬合曲線進行特征點提取，根據特征點提取結果2.如權利要求1所述的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，其特征在若時序窗口內的多維聚類結果的特征變化趨勢與時間若時序窗口內的多維聚類結果的特征變化趨勢與時間維度下的3.如權利要求2所述的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，其特征在;i表征任意一個多維聚類結果，w:為權重系數，表征第i個多維聚類結果對密度估計的影響程度，Ki個多維聚類結果的特征向量；34.如權利要求1所述的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，其特征在5.如權利要求1所述的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，其特征在根據初始因果關系構建每個參數節點與其父節點間的條件概率表6.如權利要求1所述的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，其特征在7.如權利要求6所述的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，其特征在建立異常觸發閾值，通過所述異常觸發閾值對異常監測累計結果進行4[0001]本申請涉及半導體制造技術領域，尤其涉及采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化[0004]本申請通過提供采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，采用對氧化化優先級進行全局控制層的初始化，并通過初始化后的全局控制層進行實時數據集處理，5[0007]擬通過本申請提出的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法，首先對氧化過程進行擬合觀測，劃分關鍵階段并為每個階段設置控制參數的優化優先級和特征。[0009]圖1為本申請實施例提供的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法的[0010]圖2為本申請實施例提供的采用動態調整的VCSEL芯片濕法氧化孔徑優化方法的[0011]上述說明僅是本申請技術方案的概述，為了能夠更清楚6和數據分析技術模擬各參數隨時間的變化趨勢，通過收集大量VCSEL芯片濕法氧化過程中線能夠直觀地展示各個控制參數在時間維度上的類結果，多維聚類結果能夠更全面地反映氧化過程中各個參數之間的相互關系和變化模7的類別與多維聚類結果中的類別具有相似的參數特征和變化趨勢，可以將它們進行[0021]步驟S142，利用所述時序窗口對時序窗口內的多維聚類結果的趨勢一致性匹度和孔徑變化都符合快速氧化的特征，與時間維度下該時間段被劃分為快速氧化階段一89制參數的調整更加有針對性和目的性，從而更好地實現VCSEL芯片濕法氧化過程的優化控監測累計結果是否達到需要進行異常報出的標準，異常觸發閾值的設定需要綜合考慮了對VCSE

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