GB/T 11071-2018區熔鍺錠

ICS77150

H66.

中華人民共和國國家標準

GB/T11071—2018

代替

GB/T11071—2006

區熔鍺錠

Zone-refinedgermaniumingot

2018-12-28發布2019-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T11071—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替區熔鍺錠與相比除編輯性修改外主要技

GB/T11071—2006《》,GB/T11071—2006,

術變化如下

:

范圍進一步明確為本標準適用于以還原鍺錠及鍺單晶返料為原料經區熔提純工藝制備得到

———“,

的區熔鍺錠區熔鍺錠主要用于制備半導體及高純鍺探測器用的高純鍺單晶

。ZGe-0;ZGe-1

區熔鍺錠主要用于制備紅外光學用的鍺單晶太陽能電池用的鍺單晶及各類鍺鉻鍺硅合金

、-、-

等見第章

”(1)。

增加了區熔鍺錠在下電阻率的要求見

———(23±0.5)℃(3.2)。

同一根鍺錠的最大與最小截面面積之差不大于平均截面面積的修改為同一根區熔鍺

———“15%”“

錠的頭尾兩端的高度差不大于見年版的

4mm”(3.3,20063.3)。

錠長修訂為長度應不小于見年版的

———“100mm~500mm”“100mm”(3.3,20063.3)。

增加了區熔鍺錠的表面應無孔洞的要求見版的

———(3.4,20063.4)。

本標準由中國有色金屬工業協會提出

。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司有研光電新材料有限責任公司中鍺科技有限

:、、

公司衡陽恒榮高純半導體材料有限公司廣東先導稀材股份有限公司錫林郭勒通力鍺業有限責任公

、、、

司云南東昌金屬加工有限公司

、。

本標準主要起草人包文東普世坤李賀成馮德伸惠峰范德勝朱知國李正美董汝昆朱劉

:、、、、、、、、、、

尹士平王曉華

、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T11071—1989、GB/T11071—2006。

Ⅰ

GB/T11071—2018

區熔鍺錠

1范圍

本標準規定了區熔鍺錠的要求試驗方法檢驗規則標志包裝運輸貯存質量證明書和訂貨單

、、、、、、、

或合同內容

()。

本標準適用于以還原鍺錠及鍺單晶返料為原料經區熔提純工藝制備得到的區熔鍺錠區

,。ZGe-0

熔鍺錠主要用于制備半導體及高純鍺探測器用的高純鍺單晶區熔鍺錠主要用于制備紅外光學

;ZGe-1

和太陽能電池用的鍺單晶及各類鍺鉻鍺硅合金等

-、-。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

區熔鍺錠電阻率測試方法兩探針法

YS/T602

3要求

31產品分類

.

區熔鍺錠按電學性能分為兩個牌號

:ZGe-0、ZGe-1。

ZGe-□

阿拉伯數字表示產品等級

,

表示區熔鍺錠

32電學性能

.

區熔鍺錠的電學性能應符合表的規定電阻率可選擇采用在或的條件下進行測試

1。20℃23℃,

并滿足表的規定

1。

表1電學性能

電阻率檢測單晶的參數

/(Ω·cm)(77K)

牌號載流子濃度載流子遷移率

(20±0.5)℃(23±0.5)℃-3-3